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1. (WO1987007729) CAPTEUR DE GRANDEURS MECANIQUES INTEGRE SUR SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1987/007729    N° de la demande internationale :    PCT/FR1987/000206
Date de publication : 17.12.1987 Date de dépôt international : 10.06.1987
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G01D 5/241 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/12 (2006.01)
Déposants : METRAVIB R.D.S. [FR/FR]; 64, chemin des Mouilles, B.P. 182, F-69132 Ecully Cédex (FR) (Tous Sauf US).
ANDRE, Pierre [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BAILLIEU, François [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BROSSELARD, Jean-Pierre [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
PERMUY, Alfred [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
PIROT, François-Xavier [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
SPIRKOVITCH, Serge [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : ANDRE, Pierre; (FR).
BAILLIEU, François; (FR).
BROSSELARD, Jean-Pierre; (FR).
PERMUY, Alfred; (FR).
PIROT, François-Xavier; (FR).
SPIRKOVITCH, Serge; (FR)
Mandataire : ROPITAL-BONVARLET, Claude @; Cabinet Beau de Loménie, 99, grande rue de la Guillotière, F-69007 Lyon (FR)
Données relatives à la priorité :
86/08525 10.06.1986 FR
Titre (EN) SILICON-INTEGRATED PICK-UP FOR MEASURING MECHANICAL MAGNITUDES, AND METHOD OF FABRICATION
(FR) CAPTEUR DE GRANDEURS MECANIQUES INTEGRE SUR SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The pick-up comprises a conductor strip (4) which is deformable by bending and of which one free extremity (43) forms the first armature of a variable capacitor of which the second fixed armature (24) is comprised of a conducting area provided on the silicon substrate. A structure of the JFET transistor type is formed at the vicinity of the anchoring point (41) of the strip (4) with a grid area (21) situated under the anchoring part (41) and drained and source regions (22, 23) provided on either side of the grid region (21), to amplify a signal representative of the position variations of the flexible strip (4). Application to accelerometers, pressure pick-ups.
(FR)Le capteur comprend une lame conductrice (4) déformable en flexion dont une extrémité libre (43) constitue la première armature d'un condensateur variable dont la seconde armature fixe (24) est constituée par une zone conductrice formée sur le substrat en silicium. Une structure du type transistor JFET est formée au voisinage du point d'ancrage (41) de la lame (4) avec une zone de grille (21) située sous la partie d'ancrage (41) et des zones de drain et de source (22, 23) réalisées de part et d'autre de la zone de grille (21), pour amplifier un signal représentatif des variations de position de la lame flexible (4). Application aux accéléromètres, capteurs de pression.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)