WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1987000690) RESEAUX DE MEMOIRES VIVES DYNAMIQUES DE HAUTE PERFORMANCE COMPRENANT DES CONDENSATEURS A TRANCHEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1987/000690    N° de la demande internationale :    PCT/US1986/001426
Date de publication : 29.01.1987 Date de dépôt international : 08.07.1986
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue, New York, NY 10022 (US)
Inventeurs : LYNCH, William, Thomas; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 679, Holmdel, NJ 07733 (US)
Données relatives à la priorité :
758,885 25.07.1985 US
Titre (EN) HIGH-PERFORMANCE DRAM ARRAYS INCLUDING TRENCH CAPACITORS
(FR) RESEAUX DE MEMOIRES VIVES DYNAMIQUES DE HAUTE PERFORMANCE COMPRENANT DES CONDENSATEURS A TRANCHEES
Abrégé : front page image
(EN)Parallel elongated trenches (22) in a silicon substrate (11, 12) are utilized to form multiple distinct memory cell capacitors on each continuous wall (24, 26) of each trench. Chanstops (52) are formed between adjacent capacitors to achieve electrical isolation. A separate word line (64) overlies each trench wall and is connected via respective MOS transistors to the spaced-apart capacitors formed on the wall. A reliable high-density memory characterized by excellent performance is thereby realized.
(FR)Des tranchées allongées parallèles (22) dans un substrat de silicium (11, 12) sont utilisées pour former une multiplicité de condensateurs distincts de cellules de mémoire sur chaque paroi continue (24, 26) de chaque tranchée. Des arrêts de canal (52) sont formés entre les condensateurs adjacents pour obtenir une isolation électrique. Une ligne de mots séparée (64) est située au-dessus de chaque paroi de tranchée et est reliée via des transistors MOS respectifs aux condensateurs écartés formés sur la paroi. Il est ainsi possible de réaliser une mémoire à haute densité caractérisée par d'excellentes performances.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)