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1. (WO1987000684) FORMATION D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE EPAISSE AU FOND DE TRANCHEES UTILISEES DANS DES DISPOSITIFS A CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1987/000684    N° de la demande internationale :    PCT/US1986/001472
Date de publication : 29.01.1987 Date de dépôt international : 09.07.1986
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue, New York, NY 10022 (US)
Inventeurs : LYNCH, William, Thomas; (US).
SEIDEL, Thomas, Edward; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 679, Holmdel, NJ 07733 (US)
Données relatives à la priorité :
758,797 25.07.1985 US
Titre (EN) FORMING THICK DIELECTRIC AT THE BOTTOMS OF TRENCHES UTILIZED IN INTEGRATED-CIRCUIT DEVICES
(FR) FORMATION D'UNE COUCHE DIELECTRIQUE EPAISSE AU FOND DE TRANCHEES UTILISEES DANS DES DISPOSITIFS A CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)Selective wet or plasma anodization is utilized for forming a relatively thick dielectric layer (34) only at the bottoms of trenches (10) included in semiconductor, integrated devices. In that way, the electrical characteristics of trenches that include bottoms having surface roughness and/or sharp or irregular corners are significantly improved. Additionally, electrically isolated capacitor structures in elongated trenches are made feasible.
(FR)Un procédé d'anodisation sélective à plasma ou par la voie humide est utilisé pour former une couche diélectrique relativement épaisse (34) uniquement au fond de tranchées (10) comprises dans des dispositifs intégrés à semi-conducteurs. Il est possible d'améliorer de la sorte de manière significative les caractéristiques électriques des tranchées possédant des fonds présentant des irrégularités de surface et/ou des coins aigus ou irréguliers. Il est également possible de réaliser des structures de condensateurs électriquement isolées dans des tranchées allongées.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)