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1. (WO1987000644) SYSTEME LITHOGRAPHIQUE A RAYONS X MOUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/1987/000644 N° de la demande internationale : PCT/JP1986/000376
Date de publication : 29.01.1987 Date de dépôt international : 18.07.1986
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G21K 1/06 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
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Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
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PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
K
TECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
1
Dispositions pour manipuler des particules ou des rayonnements ionisants, p.ex. pour focaliser ou pour modérer
06
utilisant la diffraction, la réfraction ou la réflexion, p.ex. monochromateurs
Déposants :
MAKABE, Hideki [JP/JP]; JP (UsOnly)
IWAHASHI, Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
SHIMADZU CORPORATION [JP/JP]; 378, Ichonofunairicho Kawaramachidori Nijo-Sagaru Nakagyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 604, JP (AllExceptUS)
Inventeurs :
MAKABE, Hideki; JP
IWAHASHI, Kenji; JP
Mandataire :
TAKEISHI, Yasuhiko; Shimadzu Corporation Sanjo-Factory 1, Nishinokyo Kuwabaracho Nakagyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 604, JP
Données relatives à la priorité :
60/16078519.07.1985JP
Titre (EN) SOFT X-RAY LITHOGRAPHIC SYSTEM
(FR) SYSTEME LITHOGRAPHIQUE A RAYONS X MOUS
Abrégé :
(EN) Conventional soft X-ray lithographic system employing proximity exposure method is advanced by rendering the system feasibility of reductive projection method which has been proved of its merit in photo-lithography and the present inventive imaging system comprises basically a soft X-ray source which is emissive like a point source, a spherically concaved reflector to converge the soft X-ray onto a Fresnel zone plate (FZP) wherein a mask pattern or an original to be copied is positioned between the reflector and the FZP so that the soft X-ray will transmit through the mask pattern to form a reduced image or copy thereof on a resist coated target substrate. Therefore, the present invention will be most advantageously applied to patterning jobs in IC industry.
(FR) Le système lithographique conventionnel à rayons X mous utilisant un procédé d'exposition à proximité est amélioré par la présente invention qui permet d'avoir également recours au procédé de projection par réduction, procédé qui a fait ses preuves en photo-lithographie. Le système de mise en image ci-décrit comprend schématiquement une source de rayons X présentant des caractéristiques d'émission ponctuelle, un réflecteur sphérique concave servant à faire converger les rayons X mous sur une plaque de zone de Fresnel (FZP), un modèle de masquage ou un original à copier étant intercalé entre le réflecteur et la FZP de sorte que les rayons X mous traversent le modèle de masquage pour former une image réduite ou une copie de cette image sur un substrat cible recouvert d'une réserve. La présente invention s'applique très avantageusement aux procédés d'établissement de modèles dans l'industrie des circuits intégrés.
États désignés : DE, GB, US
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)