WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1986005323) DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE A PORTE FLOTTANTE A EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1986/005323    N° de la demande internationale :    PCT/US1986/000372
Date de publication : 12.09.1986 Date de dépôt international : 24.02.1986
CIB :
H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : NCR CORPORATION [US/US]; World Headquarters, Dayton, OH 45479 (US)
Inventeurs : ROMANO-MORAN, Roberto; (US).
TOPICH, James, Anthony; (US).
CYNKAR, Thomas, Edward; (US).
TURI, Raymond, Alexander; (US)
Mandataire : SALYS, Casimer, K. @; Intellectual Property Section, Law Department, NCR Corporation, World Headquarters, Dayton, OH 45479 (US)
Données relatives à la priorité :
709,630 08.03.1985 US
709,632 08.03.1985 US
Titre (EN) FLOATING GATE NONVOLATILE FIELD EFFECT MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE REMANENTE A PORTE FLOTTANTE A EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)A floating gate type nonvolatile memory device includes a conductive substrate area (13) separated from a floating gate (17) by a dielectric which consists of a silicon nitride or silicon oxynitride layer (19, 22) adapted for Poole-Frenkel conduction therein. In a modification, a very thin silicon dioxide layer (21) is provided between the substrate and the silicon nitride or silicon oxynitride layer (19, 22). In another embodiment a second silicon dioxide or silicon oxynitride layer (118) is located between the floating gate (107) and the silicon nitride layer (117). Floating gate devices according to the invention can be written and erased with voltage pulses of relatively low amplitude and short duration, yet exhibit excellent endurance and retention characteristics.
(FR)Un dispositif de mémoire rémanente du type à porte flottante comprend une zone conductrice de substrat (13) séparée d'une porte flottante (17) par un diélectrique composé d'une couche (19, 22) de nitrure de silicium ou d'oxynitrure de silicium dans laquelle se produit une conduction de Poole-Frenkel. Dans un autre mode de réalisation, une couche (21) très fine de dioxyde de silicium est formée entre le substrat de la couche (19, 22) de nitrure de silicium ou d'oxynitrure de silicium. Dans un autre mode de réalisation, une deuxième couche (118) de dioxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium est placée entre la porte flottante (107) et la couche (117) de nitrure de silicium. Des inscriptions peuvent être effectuées ou effacées dans ces dispositifs à porte flottante avec des impulsions de tension d'amplitude relativement faible et de courte durée, ces dispositifs présentant toutefois d'excellentes caractéristiques de résistance et de rétention.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)