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1. (WO1986005320) PROCEDE ET SYSTEME DE FABRICATION D'UNE COUCHE ISOLANTE A LA SURFACE DU SUBSTRAT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1986/005320    N° de la demande internationale :    PCT/JP1986/000103
Date de publication : 12.09.1986 Date de dépôt international : 28.02.1986
CIB :
H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141 (JP) (Tous Sauf US).
SAMEJIMA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
USUI, Setsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAMEJIMA, Toshiyuki; (JP).
USUI, Setsuo; (JP)
Mandataire : SHIGA, Fujiya; Ekisai Kai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 104 (JP)
Données relatives à la priorité :
60/40175 28.02.1985 JP
60/40176 28.02.1985 JP
60/40177 28.02.1985 JP
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR FABRICATING INSULATING LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE SURFACE
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE FABRICATION D'UNE COUCHE ISOLANTE A LA SURFACE DU SUBSTRAT D'UN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for fabricating insulating layer is capable of optimizing the performance of an energy beam and whereby provide satisfactorily high productibility and uniformity of the formed layer. The method of fabricating an insulating layer on a semiconductor surface employs a step of irradiating an opposing with an energy beam. The energy beam irradiation step is performed under an atmosphere of gaseous reagent which is absorbed. Preferably, the gaseous reagent is subject to photolysis by the light beam. The device performing the process includes an energy beam source which directs an energy beam onto a semiconductor substrate. The energy beam generated by the energy beam source heats the surface of the semiconductor.
(FR)Un procédé et un système pour fabriquer une couche isolante permettent d'optimiser les performances d'un faisceau énergétique et ainsi d'obtenir une reproductibilité et une homogénéité suffisamment élevées de la couche formée. Le procédé ci-décrit consiste à irradier la surface opposée du semi-conducteur avec un faisceau énergétique, dans une atmosphère d'un réactif gazeux qui est absorbé. De préférence, le réactif gazeux est soumis à photolyse par le faisceau lumineux. Le dispositif permettant d'effectuer le procédé comprend une source dirigeant un faisceau énergétique sur un substrat de semi-conducteur, lequel faisceau chauffe la surface du semi-conducteur.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)