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1. (WO1986005169) NITRURE DE BORE RHOMBOEDRIQUE POLYCRISTALLIN ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1986/005169    N° de la demande internationale :    PCT/JP1986/000095
Date de publication : 12.09.1986 Date de dépôt international : 27.02.1986
CIB :
C01B 21/064 (2006.01), C04B 35/583 (2006.01), C04B 35/5831 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 35/00 (2006.01)
Déposants : RESEARCH DEVELOPMENT CORPORATION OF JAPAN [JP/JP]; 5-2, Nagatacho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUDA, Toshitsugu [JP/JP]; (JP).
NAKAE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP).
HIRAI, Toshio [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : MATSUDA, Toshitsugu; (JP).
NAKAE, Hiroyuki; (JP).
HIRAI, Toshio; (JP)
Mandataire : KOMATSU, Hideoka; Akasaka Office Heights, 13-5, Akasaka 4-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP)
Données relatives à la priorité :
60/041019 04.03.1985 JP
Titre (EN) RHOMBOHEDRAL POLYCRYSTALLINE BORON NITRIDE AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION
(FR) NITRURE DE BORE RHOMBOEDRIQUE POLYCRISTALLIN ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)Highly pure, high-density rhombohedral polycrystalline boron nitride substantially comprising rhombohedral crystals and having a three-fold axis of symmetry (an axis parallel to axis c according to hexagonal representation) oriented to one direction, which can be obtained in an arbitrary mass or thin film form by a chemical vapor deposition process of introducing a boron source gas and a nitrogen source gas and, optionally, a diluting and carrier gas into a reactor provided with a heated base to deposit boron nitride on the base, while providing a nitrogen source gas- and/or a carrier gas-diffusing layer around the heated base. The resulting boron nitride is extremely useful as semiconductors, crucibles for melting, various high-temperature jigs, high-frequency insulators, microwave transmitting apertures, and boron source for semi-conductors and, in addition, optimal as a precursor of high-pressure phase cubic boron nitride.
(FR)Un nitrure de bore rhomboédrique polycristallin à densité élevée et de très haute pureté comportant essentiellement des cristaux rhomboédriques et présentant un triple axe de symétrie (un axe parallèle à l'axe c suivant une représentation hexagonale) orienté dans une direction, est obtenu sous la forme d'une masse arbitraire ou d'un film mince par un procédé chimique de déposition de vapeur consistant à introduire du bore natif à l'état gazeux et de l'azote natif à l'état gazeux et, éventuellement, un diluant et un gaz vecteur dans un réacteur pourvu d'une base chauffée pour déposer du nitrure de bore sur la base, tout en apportant de l'azote natif à l'état gazeux et/ou une couche support de diffusion gazeuse autour de la base chauffée. Le nitrure de bore ainsi obtenu est très utile pour les semiconducteurs, creusets de fusion, divers cribles à haute température, isolateurs haute-fréquence, ouvertures pour transmission de microondes, et comme source de bore pour les semiconducteurs et, en outre, optimal comme précurseur de nitrure de bore cubique en phase de haute pression.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)