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1. (WO1986004735) DISPOSITIF PHOTODETECTEUR-AMPLIFICATEUR INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/004735 N° de la demande internationale : PCT/US1986/000234
Date de publication : 14.08.1986 Date de dépôt international : 03.02.1986
CIB :
H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
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comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
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Dispositifs commandés par rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
105
la barrière de potentiel étant du type PIN
Déposants :
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue New York, NY 10022, US
Inventeurs :
CHENG, Julian; US
DeLOACH, Bernard, Collins, Jr.; US
FORREST, Stephen, Ross; US
Mandataire :
HIRSCH, A., E., Jr. @; AT&T Bell laboratories Post Office Box 679 Holmdel, NJ 07733, US
Données relatives à la priorité :
700,44111.02.1985US
Titre (EN) INTEGRATED PHOTODETECTOR-AMPLIFIER DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTODETECTEUR-AMPLIFICATEUR INTEGRE
Abrégé :
(EN) An integrated photodetector-amplifier structure which features a p-region (21), intrinsic region (12), n-region photodetector (11) (PIN photodetector) and a self-aligned junction field-effect transistor (JFET) incorporated in the same integrated circuit. The photodetector is back illuminated, features a buried p-n junction so as to avoid surface leakage, vertical integration so that partial regrowth is not needed, and an air bridge (20) to isolate the capacitance of the PIN electrode (18) from the JFET structure. The invention includes integrated structures with more than one PIN and/or more than one JFET element.
(FR) Structure de photodétecteur-amplificateur intégré présentant un photodétecteur possédant une région n (11), une région p (21) et une région intrinsèque (12), (photodétecteur PIN) et un transistor à effet de champ à jonction auto-alignée (JFET) incorporée dans le même circuit intégré. Le photodétecteur est éclairé par l' arrière, présente une jonction p-n noyée de manière à éviter les fuites en surface, une intégration verticale rendant superflue une croissance partielle, et un pont d'air (20) pour isoler la capacitance de l'électrode PIN (18) de la structure JFET. L'invention comprend des structures intégrées avec plus d'un PIN et/ou plus d'un élément JFET.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0214289