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1. (WO1986004455) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS ISOLES DIELECTRIQUEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/004455 N° de la demande internationale : PCT/US1985/002591
Date de publication : 31.07.1986 Date de dépôt international : 31.12.1985
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
Déposants :
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue New York, NY 10022, US
Inventeurs :
HARTMAN, Adrian, Ralph; US
KOHL, James, Elwood; US
SCOTT, Robert, Steven; US
WESTON, Harry, Thomas; US
Mandataire :
HIRSCH, A., E., Jr. @; AT & T Bell Laboratories Post Office Box 679 Holmdel, NJ 07733, US
Données relatives à la priorité :
691,74915.01.1985US
Titre (EN) DIELECTRICALLY ISOLATED SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS ISOLES DIELECTRIQUEMENT
Abrégé :
(EN) An area saving dielectrically isolated semiconductor structure including a plurality of active devices (Q1, Q2), which share a common terminal (C), in a single dielectrically isolated (DI) island or tub (53). An isolation groove (52) is formed in the bottom of the DI tub and extends upwards towards a common diffusion region (42) associated with the common terminal. The isolation groove and common diffusion region combine to electrically isolate non-common portions of the active devices from one-another.
(FR) Structure à semiconducteurs isolée diélectriquement et permettant d'économiser de la place, comprenant une pluralité de dispositifs actifs (Q1, Q2), qui partagent un terminal commun (C), dans un îlot ou cuvette unique (53) isolé diélectriquement (DI). Une rainure d'isolation (52) est formée au fond de la cuvette DI et s'étend vers le haut en direction d'une région commune de diffusion (42) associée avec le terminal commun. La rainure d'isolation et la région de diffusion commune se combinent pour isoler électriquement l'une de l'autre les parties non communes des dispositifs actifs.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0207982