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1. (WO1986003622) PROCEDE DE FABRICATION A RENDEMENT ELEVE DE CIRCUITS INTEGRES A NIVEAUX METALLIQUES MULTIPLES
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N° de publication : WO/1986/003622 N° de la demande internationale : PCT/US1985/002305
Date de publication : 19.06.1986 Date de dépôt international : 25.11.1985
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
Déposants :
HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard El Segundo, CA 90245, US
Inventeurs :
LEE, William, W., Y.; US
SHAW, Gareth, L.; US
CLAYTON, James, W. (Deceased); null
Mandataire :
FLOAT, Kenneth, W. @; Hughes Aircraft Company Post Office Box 1042 El Segundo, CA 90245, US
Données relatives à la priorité :
679,50607.12.1984US
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING MULTI-LEVEL-METAL INTEGRATED CIRCUITS AT HIGH YIELDS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION A RENDEMENT ELEVE DE CIRCUITS INTEGRES A NIVEAUX METALLIQUES MULTIPLES
Abrégé :
(EN) Inter-layer electrical shorting between layers of conductors of an integrated circuit caused by "hillocks" (20, 22) in the bottom layer (18) is prevented by the use of a double layer photoresist coatings (30, 38) atop the insulating dielectric layer (24) that separates the metal layers (18, 46). The double layer photoresist insures that irregularities in the insulating dielectric layer (24) caused by hillocks (20, 22) in the underlying insulating dielectric layer (24) do not cause a break in the photoresist and a subsequent undesired etching of a spurious "via" through the insulating dielectric layer (24).
(FR) Le court-circuitage électrique provoqué entre des couches de conducteurs d'un circuit intégré par des "ondulations" (20, 22) de la couche inférieure (18) est évité par l'utilisation d'une double couche de revêtement photosensible (30, 38) sur la couche diélectrique isolante (24) qui sépare les couches métalliques (18, 46). La double couche de revêtement photosensible empêche les irrégularités provoquées dans la couche diélectrique isolante (24) par les ondulations (20, 22) de la couche diélectrique isolante sous-jacente (24) de provoquer une rupture parasite à travers la couche diélectrique isolante (24).
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (CH, DE, FR, GB)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
KR1019870700171EP0204768