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1. (WO1986003621) COUCHES DE BIOXYDE DE SILICIUM NITRURE POUR CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/003621 N° de la demande internationale : PCT/US1985/002243
Date de publication : 19.06.1986 Date de dépôt international : 13.11.1985
CIB :
H01L 21/314 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
Déposants :
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue New York, NY 10022, US
Inventeurs :
CHANG, Chuan, Chung; US
KAHNG, Dawon; US
KAMGAR, Avid; US
PARRILLO, Louis, Carl; US
Mandataire :
HIRSCH, A., E., Jr. @; AT&T Bell Laboratories Post Office Box 679 Holmdel, NJ 07733, US
Données relatives à la priorité :
678,56905.12.1984US
Titre (EN) NITRIDED SILICON DIOXIDE LAYERS FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) COUCHES DE BIOXYDE DE SILICIUM NITRURE POUR CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A semiconductor integrated circuit includes a nitrided silicon dioxide layer (32) typically 50 to 400 Angstroms thick located on a semiconductor medium. The nitrided layer is an original silicon dioxide layer (22) that has been nitrided at its top surface, as by rapid (flash) heating in ammonia to about 1250 degrees C, in such a way that the resulting nitrided silicon dioxide layer is essentially a compound layer of silicon nitroxide on silicon dioxide in which the atomic concentration fraction of nitrogen falls from a value greater than 0.13 at the top surface of the compound layer to a value of about 0.13 within 30 Angstroms or less beneath the top surface, and advantageously to values of less than about 0.05 everywhere at distances greater than about 60 Angstroms or less beneath the top surface, except that the nitrogen fraction can rise to as much as about 0.10 in the layer at distances within about 20 Angstroms from the interface of the nitrided layer and the underlying semiconductor medium.
(FR) Un circuit intégré à semiconducteurs comprend une couche de bioxyde de silicium nitruré (32) d'une épaisseur généralement comprise entre 50 et 400 Angstroms, disposée sur un support semiconducteur. La couche nitrurée est une couche originale de bioxyde de silicium (22) dont la surface a été nitrurée, par une chauffe rapide (instantanée) dans de l'ammoniac à environ 1250o C, de sorte que la couche résultante de bioxyde de silicium nitruré est essentiellement une couche composite de nitroxyde de silicium sur du bioxyde de silicium, dans laquelle la fraction de concentration atomique de l'azote tombe d'une valeur supérieure à 0,13 au niveau de la région superficielle de la couche composite à une valeur égale à environ 0,13 à une distance égale ou inférieure à 30 Angstroms au-dessous de la région superficielle, et avantageusement à des valeurs inférieures à environ 0,05 partout à des distances supérieures à environ 60 Angstroms au-dessous de la région superficielle, à l'exception de la fraction d'azote dont la concentration peut atteindre 0,10 environ dans la couche à des distances ne dépassant pas environ 20 Angstroms à partir de l'interface de la couche nitrurée et du support semiconducteur sous-jacent.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
ES8801968EP0205613ES549560CA1260364KR1019880700460