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1. (WO1986003340) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR MUNI D'UNE COUCHE DE METAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/003340 N° de la demande internationale : PCT/DE1985/000414
Date de publication : 05.06.1986 Date de dépôt international : 25.10.1985
CIB :
H01L 23/528 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
Déposants :
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 50 D-7000 Stuttgart 1, DE (AllExceptUS)
CONZELMANN, Gerhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
NAGEL, Karl [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs :
CONZELMANN, Gerhard; DE
NAGEL, Karl; DE
Données relatives à la priorité :
P 34 43 771.130.11.1984DE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH A METAL LAYER
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR MUNI D'UNE COUCHE DE METAL
Abrégé :
(EN) There is disclosed a semiconductor device provided with a metal layer (1, 2) which presents a structured surface in the areas subjected to thermal shock loads. To this effect, there is provided under the metal layer (1) at the top surface of the semiconductor, projecting oxide portions (16) which form in the metal coating layer a predetermined structure. Thus, when because of thermal shock loads, different elongation of the semiconductor material and the metal layer (1) and shearing stresses occur, the top surface opposes any tearing or slitting.
(FR) Il est proposé un dispositif semiconducteur muni d'une couche de métal (1, 2) qui présente dans les régions soumises à un choc thermique une surface structurée. A cet effet, il est prévu au-dessus de la couche de métal (1) à la surface supérieure du semiconducteur, des parties saillantes d'oxyde (16) qui ménagent dans la couche de métal de revêtement une structure déterminée. Ainsi, lorsqu'en raison de chocs thermiques, des allongements différents du matériau semiconducteur et de la couche de métal (1) et des tensions de cisaillement se produisent, la surface supérieure s'oppose à tout déchirement ou fente.
États désignés : BR, JP, US
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)
Also published as:
ES8609817EP0202254ES549433US5298462JP2583487