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1. (WO1986003339) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS; DISPOSITIFS FORMES PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/003339 N° de la demande internationale : PCT/US1985/002062
Date de publication : 05.06.1986 Date de dépôt international : 18.10.1985
CIB :
H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/225 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 21/763 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
033
comportant des couches inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
763
Régions polycristallines semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092
Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
Déposants :
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue New York, NY 10022, US
Inventeurs :
LYNCH, William, Thomas; US
PARRILLO, Louis, Carl; US
Mandataire :
HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901 Princeton, NJ 08540, US
Données relatives à la priorité :
674,27423.11.1984US
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES AND DEVICES FORMED THEREBY
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS; DISPOSITIFS FORMES PAR CE PROCEDE
Abrégé :
(EN) A new method for fabricating semiconductor devices, especially CMOS devices, as well as the resulting devices. The method involves incorporating dopants into a semiconductor substrate (e.g. 10) through a region (e.g. 50) of the substrate surface (e.g. 20), and diffusing the implanted dopants into the substrate to form a tub. Prior to the diffusion step, a trench (e.g. 80) is formed in, and extending beneath, the surface which partially or completely encircles the region. The trench serves to prevent the formation, or reduce the size, of a relatively low dopant concentration region, which would otherwise lead to undersirable leakage currents in the completely CMOS device, and prevents latchup.
(FR) Nouveau procédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs, en particulier des dispositifs MOS complémentaires, de même que les dispositifs fabriqués par ce procédé. Le procédé implique l'incorporation de dopants dans un substrat semiconducteur (par exemple 10) à travers une région (par exemple 50) de la surface (par exemple 20) du substrat, et la diffusion des dopants implantés dans le substrat pour former un bassin. Avant l'étape de diffusion, on forme une tranchée (par exemple 80) dans la surface qui entoure partiellement ou complètement la région, et qui s'étend au-dessous de celle-ci. La tranchée sert à empêcher la formation d'une région à concentration relativement basse de dopant, à réduire son étendue, et à empêcher l'enclenchement. Autrement, des courants indésirables de fuite pourraient se produire dans le dispositif achevé à MOS complémentaire.
États désignés : JP, KR
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP0202252KR1019860700372