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1. (WO1986003228) PROCEDE DE DEPOT D'ARSENIURE DE GALLIUM A PARTIR DE COMPLEXES DE GALLIUM-ARSENIC EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1986/003228 N° de la demande internationale : PCT/US1985/002173
Date de publication : 05.06.1986 Date de dépôt international : 01.11.1985
CIB :
C23C 16/30 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
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caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants :
HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard El Segundo, CA 90245, US
Inventeurs :
JENSEN, John, E.; US
OLSON, Gregory, L.; US
Mandataire :
SARJEANT, John, A. @; Hughes Aircraft Company P.O. Box 1042 Bldg. C2, M.S. A126 El Segundo, CA 90245, US
Données relatives à la priorité :
673,49720.11.1984US
Titre (EN) METHOD FOR DEPOSITION OF GALLIUM ARSENIDE FROM VAPOR PHASE GALLIUM-ARSENIC COMPLEXES
(FR) PROCEDE DE DEPOT D'ARSENIURE DE GALLIUM A PARTIR DE COMPLEXES DE GALLIUM-ARSENIC EN PHASE VAPEUR
Abrégé :
(EN) A method for depositing GaAs films on a substrate involving vapor phase photochemical decomposition of selected gallium-arsenic complexes to form GaAs for deposition on the substrate. The gallium-arsenic complexes have the formula X3GaAsR3, where X is methyl or trifluoromethyl and R is hydrogen, methyl or trifluoromethyl. The gallium-arsenic complex vapor is irradiated with ultraviolet light at a sufficient wavelength and a sufficient intensity to photochemically convert the vapor to GaAs for deposition.
(FR) Procédé pour déposer des films de GaAs sur un substrat, impliquant la décomposition photochimique en phase vapeur de complexes sélectionnés d'arséniure de gallium pour former du GaAs destiné à être déposé sur le substrat. Les complexes d'arséniure de gallium ont la formule X3GaAsR3 où X est du méthyle ou du trifluorométhyle et R de l'hydrogène, du méthyle ou du trifluorométhyle. La vapeur du complexe d'arséniure de gallium est irradiée avec de la lumière ultraviolette à une longueur d'onde et à une intensité suffisantes pour convertir photochimiquement la vapeur en GaAs destiné à être déposé.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
EP0204724