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1. (WO1986002202) PROTECTION CONTRE LA DECHARGE D'UNE ZONE D'APPAUVRISSEMENT D'UNE MEMOIRE DE CHARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1986/002202    N° de la demande internationale :    PCT/US1985/001523
Date de publication : 10.04.1986 Date de dépôt international : 12.08.1985
CIB :
H01L 21/322 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 29/167 (2006.01), H01L 29/94 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 E. Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : VARKER, Charles, J.; (US).
WILSON, Syd, R.; (US)
Mandataire : HANDY, Robert, M. @; Motorola, Inc., Patent Department - Suite 300K, 4250 E. Camelback Road, Phoenix, AZ 85018 (US)
Données relatives à la priorité :
656,112 28.09.1984 US
Titre (EN) CHARGE STORAGE DEPLETION REGION DISCHARGE PROTECTION
(FR) PROTECTION CONTRE LA DECHARGE D'UNE ZONE D'APPAUVRISSEMENT D'UNE MEMOIRE DE CHARGE
Abrégé : front page image
(EN)A means and method for shielding semiconductor charge storage devices (12-14) from the effects of particles or ionizing radiation (15a-b) absorbed within the bulk (31b) of the semiconductor substrate (31), by providing a free carrier shield consisting of a buried layer (31c) of very low lifetime in the undisturbed material below the depletion regions (12a, 14d) associated with the charge storage devices (12-14). The very low lifetime layer (31c) is obtained by ion implantation of a super-saturated zone of impurities such as oxygen which provide deep recombination centers and which react chemically with the substrate material (31) so as to provide thermally stable complexes which do not anneal away during post implant heating cycles. Concentrations of lifetime killing impurities significantly exceeding the solid solubility limit are achieved so that the lifetime reduction in the carrier shield region (31c) greatly exceeds that obtainable by prior art methods. Partial shielding is also provided against carriers injected by nearby junctions (13) or introduced by charge pumping during circuit operation.
(FR)Dans un procédé et un dispositif utilisés pour protéger des dispositifs à mémoire de charge (12-14) des effets de particules ou de rayonnements ionisants (15a-b) absorbés dans la masse (31b) du substrat semiconducteur (31), un blindage porteur libre se compose d'une couche noyée (31c) avec une durée de vie très courte dans le matériau non-perturbé au-dessous des zones d'appauvrissement (12a, 14d) associées aux dispositifs de mémoire de charge (12-14). La couche avec une durée de vie très courte (31c) est obtenue en implantant des ions dans une zone super-saturée d'impuretés, telles que l'oxygène, qui fournissent des centres profonds de recombinaison et qui réagissent chimiquement avec le matériau de substrat (31) de façon à créer des composés thermiquement stables qui ne s'écaillent pas lors de cycles de réchauffement postérieurs à l'implantation. On obtient des concentrations d'impuretés réductrices de la durée de vie nettement supérieures aux limites de solubilité solide, de sorte que la réduction de la durée de vie dans la zone de protection porteuse (31c) dépasse considérablement celle qui était obtenue par des procédés de l'art antérieur. Une protection partielle est également fournie contre des porteurs injectés par des jonctions proximales (13) ou introduits par pompage de la charge pendant le fonctionnement du circuit.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, IT, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)