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1. (WO1986002111) PROCEDE D'AMELIORATION DE LA CRISTALLINITE D'UN RUBAN SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1986/002111    N° de la demande internationale :    PCT/US1985/001792
Date de publication : 10.04.1986 Date de dépôt international : 20.09.1985
CIB :
C30B 13/00 (2006.01), C30B 13/24 (2006.01)
Déposants : SOLAVOLT INTERNATIONAL [US/US]; 1 Shell Plaza, P.O. Box 4439, Houston, TX 77210 (US)
Inventeurs : ELLIS, R., J.; (US).
LEGGE, Ronald, N.; (US).
LESK, Israel, A.; (US)
Mandataire : FISHER, John, A. @; Motorola, Inc., Patent Department, Suite 300K, 4250 E. Camelback Road, Phoenix, AZ 85018 (US)
Données relatives à la priorité :
656,390 01.10.1984 US
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVING CRYSTALLINITY OF SEMICONDUCTOR RIBBON
(FR) PROCEDE D'AMELIORATION DE LA CRISTALLINITE D'UN RUBAN SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method for improving the crystallinity of semiconductor ribbon material while increasing the material throughout and decreasing energy requirements. The crystallinity of a ribbon of semiconductor material can be improved by forming a localized molten zone in the material and sweeping this molten zone along the length of the material. As the molten zone refreezes, the material is locally recrystallized with enhanced grain size. In accordance with the invention, two ribbons (20, 22) positioned back-to-back with a slight spacing between the ribbons. Energy sources (28, 30) are focused on the outer surfaces of the two ribbons to create a molten zone in each of the ribbons. Because of the close proximity between the ribbons, much of the energy reradiated from each molten zone is absorbed by the adjacent ribbon. The molten zones are then swept along both of the ribbons to simultaneously cause crystal improvement in both ribbons. The total energy input required for recrystallizing two ribbons is only slightly greater than the energy required to recrystallize one ribbon. Further improvements in the process are achieved by positioning a thermal diffuser (46) between the two ribbons (48/50) and/or staggering the relative positions of the molten zones.
(FR)Un procédé permet d'améliorer la cristallinité de rubans en matériau semiconducteur tout en augmentant le rendement du matériau et en diminuant les besoins en énergie. La cristallinité d'un ruban en matériau semiconducteur peut être améliorée en formant une zone fondue localisée dans le matériau et en balayant cette zone fondue dans le sens longitudinal du matériau. A mesure que la zone fondue se solidifie à nouveau, le matériau se recristallise localement avec des grains de plus grandes dimensions. Deux rubans (20, 22) sont placés dos à dos avec un petit écart entre les deux. Des sources d'énergie (28, 30) sont focalisées sur la surface extérieure des deux rubans afin de créer une zone fondue dans chaque ruban. Les deux rubans étant très proches l'un de l'autre, une grande partie de l'énergie irradiée par chaque zone fondue est absorbée par le ruban adjacent. Les zones fondues sont ensuite longitudinalement déplacées sur les deux rubans afin de provoquer une amélioration simultanée des cristaux sur les deux rubans. L'énergie totale nécessaire pour recristalliser les deux rubans n'est que légèrement supérieure à l'énergie nécessaire pour recristalliser un seul ruban. D'autres améliorations du procédé sont obtenues si l'on place un diffuseur thermique (46) entre les deux rubans (48/50) et/ou si l'on décale les zones fondues l'une par rapport à l'autre.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)