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1. (WO1985004762) PROCEDE DE MISE EN CONTACT DE CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/004762    N° de la demande internationale :    PCT/US1985/000516
Date de publication : 24.10.1985 Date de dépôt international : 27.03.1985
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue, New York, NY 10022 (US)
Inventeurs : LANCASTER, Loren, Thomas; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
598,179 09.04.1984 US
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT CONTACT METHOD
(FR) PROCEDE DE MISE EN CONTACT DE CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)Shorting together of adjacent, oppositely doped semiconductive regions (23, 21) at the surface of a substrate caused by misalignment of contact windows (W') over portions of both regions is avoided by providing a first set of contact regions (21') of one (p) conductivity type of sufficient width to easily avoid the misalignment caused problem, and a second set of contact regions (21) of the opposite (n) conductivity type and of the minimum possible width (to obtain maximum device density on the substrate) which, owing to their small width, give rise to the misalignment problem. The doping (p type) of the regions (21') of the first set is made higher than the doping (p type) of the regions (23) adjacent to the regions (21) of the first set. Prior to applying the conductive contact materials through the contact windows, impurities are non selectively implanted through the windows at a concentration sufficient to reverse the conductivity type (p) of any portions of the adjacent regions (23) exposed by the misaligned windows (W'), but of insufficient concentration to reverse the conductivity type (p) of the second set of regions (21').
(FR)On évite la mise en court-circuit de régions voisines semi-conductrices de dopage opposé (23, 21) à la surface d'un substrat provoquée par défaut d'alignement des fenêtres de contact (W') sur des parties des deux régions en prévoyant une première série de régions de contact (21') d'un type de conductivité (p) d'une largeur suffisante pour éviter aisément le problème posé par le défaut d'alignement, ainsi qu'une seconde série de régions de contact (21) de type de conductivité opposé (n) et de la largeur la plus petite possible (afin d'obtenir la densité de dispositif maximum sur le substrat) qui, en raison de leur faible largeur, provoquent le problème du défaut d'alignement. Le dopage (type p) des régions (21') de la première série est rendu plus élevé que le dopage (type p) des régions (23) proches des régions (21) de la première série. Avant l'application des matériaux de contact conducteurs à travers les fenêtres de contact, des impuretés sont implantées de manière non sélective à travers les fenêtres à une concentration suffisante pour inverser le type de conductivité (p) des parties des régions voisines (23) exposées par les fenêtres mal alignées (W'), mais insuffisante pour inverser le type de conductivité (p) de la seconde série de régions (21').
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)