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1. (WO1985004519) COUCHE DE LIAISON DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/004519    N° de la demande internationale :    PCT/US1985/000454
Date de publication : 10.10.1985 Date de dépôt international : 19.03.1985
CIB :
H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : MOSTEK CORPORATION [US/US]; 1215 West Crosby Road, Carrollton, TX 75006 (US)
Inventeurs : QUINN, Daniel, J.; (US).
TSITOVSKY, Ilya, L.; (US).
MOZDZEN, Barbara, R.; (US).
WILSON, Linda, S.; (US).
HELD, Charles, F.; (US).
MULHOLLAND, Wayne, A.; (US).
NGUYEN, Yen, T.; (US)
Mandataire : PETRASKE, Eric, W.; Patent Department, United Technologies Corporation, Hartford, CT 06101 (US)
Données relatives à la priorité :
592,152 22.03.1984 US
Titre (EN) NITRIDE BONDING LAYER
(FR) COUCHE DE LIAISON DE NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit chip includes a layer of silicon nitride (4-20) deposited above the upper metallization and silicon oxide intermetallic dielectric (4-10), above which a layer of polyimide (4-50) supports a network of electrical leads; the layer of nitride (4-20) extending completely over the silicon oxide (4-10) from the streets (4-200) at the edge of the die to overlap metallic contacts (4-05) connected from the metallization layer to the upper electrical leads.
(FR)Une puce de circuit intégré comporte une couche de nitrure de silicium (4-20) déposée sur le diélectrique intermétallique d'oxyde de silicium et de métallisation supérieur (4-10) sur laquelle une couche de polyimide (4-50) soutient un réseau de conducteurs électriques; la couche de nitrure (4-20) s'étend entièrement sur l'oxyde de silicium (4-10) à partir des voies (4-200) au bord du dé afin de chevaucher les contacts métalliques (4-0,5) connectés de la couche de métallisation aux conducteurs électriques supérieurs.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)