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1. (WO1985004491) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTIQUE INTEGRE MONOLITHIQUE COMPRENANT UN LASER A SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF OBTENU PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/004491    N° de la demande internationale :    PCT/FR1985/000067
Date de publication : 10.10.1985 Date de dépôt international : 29.03.1985
CIB :
G02B 6/12 (2006.01), G02F 1/025 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/125 (2006.01)
Déposants : MENIGAUX, Louis [FR/FR]; (FR).
CARENCO, Alain [FR/FR]; (FR).
SANSONETTI, Pierre [FR/FR]; (FR)
Inventeurs : MENIGAUX, Louis; (FR).
CARENCO, Alain; (FR).
SANSONETTI, Pierre; (FR)
Mandataire : SOCIETE FRANÇAISE POUR LA GESTION DES BREVETS D'AP; PLICATION NUCLEAIRE BREVATOME;, 25, rue de Ponthieu;, F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
84/05053 30.03.1984 FR
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING A MONOLITHIC INTEGRATED OPTICAL DEVICE COMPRISING A SEMICONDUCTOR LASER AND DEVICE OBTAINED BY SAID PROCESS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF OPTIQUE INTEGRE MONOLITHIQUE COMPRENANT UN LASER A SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF OBTENU PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)Process for fabricating a monolithic integrated optical device comprising a semiconductor laser and an optical waveguide and device obtained by said process. A substrate (100) is provided with a profile having at least one step (102). There are deposited on said substrate, in a single epitaxy operation carried out in vapor phase, successively a first confinement layer (106), a guiding layer (108) of transparent material for the radiation emitted by the laser, a second confinement layer (110), an active layer (112), a third confinement layer (114), a contact layer (116). The transparent material (108) has a refraction index which is higher than the indexes of the confinement layers (106, 110) which are framing it. The thicknesses of the various layers are such that the active layer (112) of the lower piling (120i) is facing the transparent layer (108) of the higher piling (120s). Application to optical telecommunications.
(FR)Procédé de fabrication d'un dispositif optique intégré monolithique comprenant un laser à semiconducteur et un guide d'onde optique et dispositif obtenu par ce procédé. On donne au substrat (100) un profil présentant au moins une marche (102). On dépose sur ce substrat, par une seule opération d'éxpitaxie réalisé en phase vapeur, successivement une première couche de confinement (106), une couche de guidage (108) en un matériau transparent pour le rayonnement émis par le laser, une deuxième couche de confinement (110), une couche active (112), une troisième couche de confinement (114), une couche de contact (116). Le matériau transparent (108) a un indice de réfraction supérieur aux indices des couches de confinement (106, 110) qui l'encadrent. On donne aux épaisseurs des diverses couches des valeurs telles que la couche active (112) de l'empilement inférieur (120i) se trouve en regard de la couche transparente (108) de l'empilement supérieur (120s). Application en télécommunications optiques.
États désignés : JP, US.
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)