WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1985003171) LASER REGULE PAR UNE HETEROSTRUCTURE A COUCHES MULTIPLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/003171    N° de la demande internationale :    PCT/US1984/001890
Date de publication : 18.07.1985 Date de dépôt international : 19.11.1984
CIB :
G02F 1/017 (2006.01), H01S 3/106 (2006.01), H01S 3/113 (2006.01), H01S 5/065 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01)
Déposants : AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Ave., New York, NY 10022 (US)
Inventeurs : CHEMLA, Daniel, Simon; (US).
MILLER, David, Andrew, Barclay; (US).
SMITH, Peter, William; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
567,222 30.12.1983 US
Titre (EN) LASER CONTROLLED BY A MULTIPLE LAYER HETEROSTRUCTURE
(FR) LASER REGULE PAR UNE HETEROSTRUCTURE A COUCHES MULTIPLES
Abrégé : front page image
(EN)Controlled laser having an optical resonator (102, 106), a laser gain medium placed inside the optical resonator the laser gain medium being capable of emitting light and of lasing with the light, a multiple layer heterostructure (110) placed inside the optical resonator, and means for varying an optical absorption of the multiple layer heterostructure for the light in order to control an optical gain of the optical resonator, and thereby control lasing of the laser gain medium. Passive mode locking is achieved by the light emitted by the gain medium controlling the optical absorption of the multiple layer heterostructure. Active mode locking and modulation are achieved by controlling the optical absorption of the multiple layer heterostructure by applying an electric field to the multiple layer heterostructure. Control of laser gain by an external light source is achieved by controlling the optical absorption of the multiple layer heterostructure by illuminating it with light from the external light source. An embodiment of the multiple layer heterostructure fabricated as a GaAsAlGaAs multiple quantum well with a Type I superlattice band structure is a passive mode locker for a semiconductor diode laser.
(FR)Laser régulé possédant un résonateur optique (102, 106), un milieu de gain de laser placé à l'intérieur du résonateur optique, le milieu de gain de laser pouvant émettre de la lumière et avoir un effet laser avec la lumière, une hétérostructure à couches multiples (110) placée à l'intérieur du résonateur optique, ainsi qu'un mécanisme pour varier l'absorption optique de l'hétérostructure à couches multiples pour la lumière afin de réguler un gain optique du résonateur optique, et ainsi de réguler l'effet laser du milieu de gain de laser. Le réglage de mode passif est effectué par la lumière émise par le milieu de gain régulant l'absorption optique de l'hétérostructure à couches multiples. La modulation et le réglage de mode actif sont effectués par la régulation de l'absorption optique de l'hétérostructure à couches multiples grâce à l'application d'un champ électrique à l'hétérostructure à couches multiples. La régulation du gain de laser par une source lumineuse externe est effectuée par la régulation de l'absorption optique de l'hétérostructure à couches multiples grâce à son illumination au moyen de lumière provenant de la source lumineuse externe. Un mode de réalisation de l'hétérostructure à couches mutiples fabriquée en tant que puits de quanta multiples GaAs-AlGaAs avec une structure de bande de réseau superposée du type I est un régleur de mode passif pour un laser à diode à semi-conducteur.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)