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1. (WO1985003166) DETECTEUR D'IMAGES EN COULEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/003166    N° de la demande internationale :    PCT/JP1984/000606
Date de publication : 18.07.1985 Date de dépôt international : 21.12.1984
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/112 (2006.01)
Déposants : RESEARCH DEVELOPMENT CORPORATION OF JAPAN [JP/JP]; 2-5-2, Nagata-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIZAWA, Jun-ichi [JP/JP]; (JP).
TAMAMUSHI, Takashige [JP/JP]; (JP).
ISTVÁN, Bársony [HU/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIZAWA, Jun-ichi; (JP).
TAMAMUSHI, Takashige; (JP).
ISTVÁN, Bársony; (JP)
Mandataire : TAMAMUSHI, Kyugoro; 5-2, Minaminagasaki 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 171 (JP)
Données relatives à la priorité :
58/249546 29.12.1983 JP
Titre (EN) COLOUR IMAGE SENSOR
(FR) DETECTEUR D'IMAGES EN COULEURS
Abrégé : front page image
(EN)A light detector consists of an electrostatic induction transistor in which an n+-type buried layer is provided to restrict the thickness of a high-resistance layer i between the p+-type region constituting a gate and the substrate, and the n+-type buried layer is used as a drain region or a source region. The light detector corresponds to a picture element which receives light of a particular wavelength. The picture elements are arranged like a honeycomb, so that the individual picture elements will selectively receive light of three particular wavelengths, i.e. blue ($g(l)1), green ($g(l)2), and red ($g(l)3), thereby to constitute a colour image sensor, by selecting the following conditions: (1) Distance xi between the in junction of pin junction and the surface (I), (2) Area A ($g(l)i) of the gate portion (II), where e: 2.718; $g(h)($g(l)i) quantum efficiency required for the wavelength $g(l)i, R($g(l)i): reflection coefficient for the wavelength $g(l)i; $g(a)i($g(l)i): absorption coefficient for the wavelength $g(l)i; Atot = A($g(l)i) + A($g(l)2) + A($g(l)3).
(FR)Un photodétecteur se compose d'un transistor à induction électrostatique dans lequel une couche noyée de type n+ est présente pour limiter l'épaisseur d'une couche à résistance élevée i entre la région de type p+ constituant une porte et le substrat, et la couche noyée de type n+ est utilisée comme région de drain ou comme région de source. Le photodétecteur correspond à un élément d'image recevant de la lumière d'une longueur d'onde particulière. Les éléments d'image sont arrangés en nid d'abeilles, de sorte que les éléments d'image individuels reçoivent sélectivement la lumière de trois longueurs d'ondes particulières, c'est-à-dire bleue ($g(l)1), verte ($g(l)2) et rouge ($g(l)3), afin de constituer un détecteur d'images en couleurs en sélectionnant les conditions suivantes: 1) distance xi entre la jonction d'entrée de la jonction par broches et la surface, (I); 2) surface A($g(l)i) de la partie de porte, (II), où e = 2,718; $g(h)($g(l)i): rendement quantique requis pour la longueur d'onde $g(l)i; R($g(l)i): coefficient de réflexion pour la longueur d'onde $g(l)i; xi($g(l)i): coefficient d'absorption pour la longueur d'onde $g(l)i; Atot = A($g(l)i) + A($g(l)2) + A($g(l)3).
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)