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1. (WO1985002716) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1985/002716 N° de la demande internationale : PCT/JP1984/000597
Date de publication : 20.06.1985 Date de dépôt international : 14.12.1984
CIB :
H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/092 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092
Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
11
Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku Tokyo 101, JP (AllExceptUS)
SUNAMI, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
OHKURA, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
KIMURA, Shinichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
SUNAMI, Hideo; JP
OHKURA, Makoto; JP
KIMURA, Shinichiro; JP
Mandataire :
TAKAHASHI, Akio; Patent Department of Hitachi, Ltd. 5-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo 100, JP
Données relatives à la priorité :
58/23616016.12.1983JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Semiconductor integrated circuit which has: first and second semiconductor regions which are formed in pillarlike projections provided on a semiconductor substrate or a semiconductor layer provided on an insulating substrate, the semiconductor regions opposing each other across an insulating region; a p-channel FET provided in the first semiconductor region and an n-channel FET provided in the second semiconductor region, each of the FETs having source and drain regions at the upper and bottom portions respectively of the corresponding semiconductor region and a gate electrode at a side portion of the semiconductor region. Also disclosed is a semiconductor integrated circuit in which the insulating region between the semiconductor regions in the shape of a pillarlike projection is employed as a gate electrode and a gate insulating film.
(FR) Un circuit intégré à semi-conducteurs possède une première et une deuxième région semi-conductrices composées d'éléments en saillie en forme de piliers disposés sur un substrat semi-conducteur ou une couche semi-conductrice disposée sur un substrat isolant, les régions semi-conductrices étant opposées entre elles à travers une région isolante; un FET à canal p disposé dans la première région semi-conductrice; un FET à canal n disposé dans la deuxième région semi-conductrice, chaque FET possédant des régions de source et de drain dans les parties supérieures et de fond respectivement de la région semi-conductrice correspondante, et une électrode de porte dans une partie latérale de la région semi-conductrice. On décrit également un circuit intégré à semi-conducteurs dans lequel la région isolante entre les régions semi-conductrices en forme de pilier en saillie est utilisée comme électrode de porte et comme film d'isolation de porte.
États désignés : KR, US
Office européen des brevets (OEB) (DE, NL)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP0166003US4670768KR1019850700185