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1. (WO1985002715) STRUCTURE DE PROTECTION DE LA ZONE DE COUSSINET DANS UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1985/002715 N° de la demande internationale : PCT/US1984/001967
Date de publication : 20.06.1985 Date de dépôt international : 03.12.1984
CIB :
H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 23/532 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
532
caractérisées par les matériaux
Déposants :
HONEYWELL INC. [US/US]; Honeywell Plaza Minneapolis, MN 55408, US
Inventeurs :
HOLMEN, James, O.; US
WURM, Mark, A.; US
Mandataire :
BLINN, Clyde, C.; Honeywell Inc. MN12-8251 Honeywell Plaza Minneapolis, MN 55408, US
Données relatives à la priorité :
557,78005.12.1983US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PAD AREA PROTECTION STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE PROTECTION DE LA ZONE DE COUSSINET DANS UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) Semiconductor device structure comprising a metalization pattern (16) having a pad area (18). The structure provides protection to the pad area (18) from attack by a corrosive environment. The structure comprises a semiconductor body (10) having a first surface (12), there being a first layer (14) of dielectric material (14) covering at least a portion of the first surface (12). A metalization pattern (16) having a pad area (18) covers a portion of the first layer (14) of dielectric material (14). Access pad structure (20 (22, 40, 44)) covers the pad area (18) for providing an access pad (20) and for protecting the pad area (18) from attack by a corrosive environment. The access pad structure (20 (22, 40, 44)) comprises conductive material (40, 44) impervious to attack by the corrosive environment.
(FR) Structure de dispositif à semi-conducteurs comprenant un motif de métallisation (16) possédant une zone de coussinet (18). La structure protège la zone de coussinet (18) de l'attaque par un environnement corrosif. La structure comprend un corps de semi-conducteur (10) possédant une première surface (12) recouverte au moins en partie par une première couche de matériau diélectrique (14). Un motif de métallisation (16) possédant une zone de coussinet (18) couvre une partie de la première couche (14) de matériau diélectrique (14). Une structure de coussinet d'accès (20 (22, 40, 44)) couvre la zone de coussinet (18) pour créer un coussinet d'accès (20) et pour protéger la zone de coussinet (18) de l'attaque par un environnement corrosif. La structure de coussinet d'accès (20 (22, 40, 44)) comprend un matériau conducteur (40, 44) insensible à l'attaque de l'environnement corrosif.
États désignés : JP
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0163731