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1. (WO1985002709) DISPOSITIF DE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1985/002709 N° de la demande internationale : PCT/GB1984/000420
Date de publication : 20.06.1985 Date de dépôt international : 06.12.1984
CIB :
G11C 7/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
Déposants :
THE BRITISH PETROLEUM COMPANY P.L.C. [GB/GB]; Britannic House Moor Lane London EC2Y 9BU, GB (JP)
HOCKLEY, Peter, John [GB/GB]; GB (UsOnly)
THWAITES, Michael, John [GB/GB]; GB (UsOnly)
Inventeurs :
HOCKLEY, Peter, John; GB
THWAITES, Michael, John; GB
Mandataire :
RYAN, Edward, Terrance; BP International Limited Patents Division Chertsey Road Sunbury-on-Thames Middlesex TW16 7LN, GB
Données relatives à la priorité :
833303310.12.1983GB
Titre (EN) MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE
Abrégé :
(EN) Method of determining the conductance state of a non-volatile memory device switchable between high and low conductance states. The device comprises at least one p-type amorphous or microcrystalline semiconductor and an n or i-type layer. The device is irradiated with light to produce a photovoltaic response which is used to determine the conductance state.
(FR) Procédé permettant de déterminer l'état de conductance d'un dispositif de mémoire rémanente pouvant être commuté entre deux états de haute et basse conductance. Le dispositif comprend au moins un semi-conducteur amorphe ou microcristallin de type p et une couche de type n ou i. Le dispositif est irradié avec de la lumière pour produire une réponse photo-voltaïque qui est utilisée pour déterminer l'état de conductance.
États désignés : JP, US
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP0152689US4747077