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Paramétrages

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1. WO1985001403 - AMELIORATIONS RELATIVES A DES CIRCUITS DE COMMUTATION DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/1985/001403
Date de publication 28.03.1985
N° de la demande internationale PCT/US1984/001321
Date du dépôt international 20.08.1984
CIB
H03K 17/0416 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
04Modifications pour accélérer la commutation
041sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
0416par des dispositions prises dans le circuit de sortie
CPC
H03K 17/04166
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
04Modifications for accelerating switching
041without feedback from the output circuit to the control circuit
0416by measures taken in the output circuit
04166in bipolar transistor switches
Déposants
  • AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Ave. New York, NY 10022, US
Inventeurs
  • GLOGOLJA, Miroslav; US
Mandataires
  • HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901 Princeton, NJ 08540, US
Données relatives à la priorité
532,77416.09.1983US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO POWER SWITCHING CIRCUITS
(FR) AMELIORATIONS RELATIVES A DES CIRCUITS DE COMMUTATION DE PUISSANCE
Abrégé
(EN)
A turn off circuit for an inductivity loaded power switching transistor (10) utilizes a transistor current path (40) in the base circuit and two series connected diode junctions (14, 15) in the emitter circuit to reverse bias the base-emitter junction of the power switching transistor without the need for an active reverse bias voltage source.
(FR)
Un circuit de bloquage pour un transistor de commutation de puissance (10) chargé par inductivité utilise un chemin de courant de transistor (40) dans le circuit de base et deux jonctions à diode reliées en série (14, 15) dans le circuit émetteur pour inverser la polarisation de la jonction base-émetteur du transistor de commutation de puissance sans recourir à une source de tension de polarisation inverse active.
Également publié en tant que
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