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Paramétrages

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1. WO1985001391 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP CMOS DE DENSITE ELEVEE A PUITS RETROGRADE MULTIPLE, IMMUN AU VERROUILLAGE

Numéro de publication WO/1985/001391
Date de publication 28.03.1985
N° de la demande internationale PCT/US1983/001958
Date du dépôt international 12.12.1983
CIB
H01L 21/265 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263par des radiations d'énergie élevée
265produisant une implantation d'ions
H01L 21/322 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
322pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
H01L 27/092 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 29/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
30caractérisés par des défectuosités physiques; ayant des surfaces polies ou rugueuses
32les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
CPC
H01L 21/26513
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
26506in group IV semiconductors
26513of electrically active species
H01L 21/2652
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
26506in group IV semiconductors
26513of electrically active species
2652Through-implantation
H01L 21/3221
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
322to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
3221of silicon bodies, e.g. for gettering
H01L 27/0921
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
085including field-effect components only
088the components being field-effect transistors with insulated gate
092complementary MIS field-effect transistors
0921Means for preventing a bipolar, e.g. thyristor, action between the different transistor regions, e.g. Latchup prevention
H01L 29/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
30characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
32the imperfections being within the semiconductor body
Déposants
  • HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; P.O. Box 1042 El Segundo, CA 90245, US
Inventeurs
  • CHEN, John, Y.; US
Mandataires
  • ROSENBERG, Gerald, B. @; Hughes Aircraft Company P.O. Box 1042 Bldg. C2, M.S. A126 El Segundo, CA 90245, US
Données relatives à la priorité
531,54612.09.1983US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LATCH-UP IMMUNE, MULTIPLE RETROGRADE WELL HIGH DENSITY CMOS FET
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP CMOS DE DENSITE ELEVEE A PUITS RETROGRADE MULTIPLE, IMMUN AU VERROUILLAGE
Abrégé
(EN)
A high density CMOS device structure (6) that is essentially immune to latch-up, and a method of fabricating the structure (6). This is obtained by providing a well region (14) within and adjacent a surface of a substrate (12), the well region (14) having a multiple retrograde doping density profile, and by providing source and drain regions (18, 20) within the well (14) and adjacent the surface of the substrate (12), the source and drain regions (18, 20) having associated therewith a greater than average density of residual defects within said well region (14), the greater density of residual defects being generally associated with the deepest portions of the source and drain regions (18, 20) and the immediately underlying portions of said well region (14), respectively.
(FR)
Structure de dispositif CMOS de densité élevée (6) essentiellement immune au verrouillage et procédé de fabrication de la structure (6). Celle-ci est obtenue en créant une région de puits (14) dans une surface d'un substrat (12) et adjacente à la surface, la région de puits (14) ayant un profil de densité de dopage rétrograde multiple, et en aménageant des régions de source et de drain (18, 20) dans le puits (14) et adjacentes à la surface du substrat (12), les régions de source et de drain (18, 20) ayant une densité supérieure à la moyenne de défauts résiduels dans ladite région de puits (14), la densité plus grande que la moyenne de défauts résiduels étant généralement associée aux portions les plus profondes des régions de source et de drain (18, 20) et aux portions immédiatement sous-jacentes de ladite région de puits (14), respectivement.
Également publié en tant que
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