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Paramétrages

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1. WO1985001390 - TRANCHE

Numéro de publication WO/1985/001390
Date de publication 28.03.1985
N° de la demande internationale PCT/US1984/001444
Date du dépôt international 12.09.1984
CIB
H01L 23/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
14caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
H01L 23/538 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/58 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H01L 25/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
CPC
H01L 22/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
32Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48472
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
484Connecting portions
4847the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
48472the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
H01L 23/147
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
14characterised by the material or its electrical properties
147Semiconductor insulating substrates
H01L 23/5385
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
538the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
5385Assembly of a plurality of insulating substrates
H01L 25/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
16the devices being of types provided for in two or more different main groups of H01L27/00 - H01L49/00 ; and H01L51/00; , e.g. forming hybrid circuits
Déposants
  • MOSAIC SYSTEMS, INC. [US/US]; 1497 Maple Lane Troy, MI 48084, US
Inventeurs
  • STOPPER, Herbert; US
  • PERKINS, Cornelius, Churchill; US
Mandataires
  • AUGSPURGER, Lynn, L.; Lynn L. Augspurger and Associates Suite 368 401 South Woodward Avenue Birmingham, MI 48011, US
Données relatives à la priorité
532,39115.09.1983US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) WAFER
(FR) TRANCHE
Abrégé
(EN)
A wafer (1) on which is formed a layer of thin film as an interconnection system (3) with contact sites (2, 7) between the interconnection system (3) and die bonding sites (2) of the wafer (1) to form a monolithic wafer. The interconnection system (3) has bonding sites on the surface of the wafer (1) to which chips are bonded to form a hybrid monolithic wafer system.
(FR)
Tranche (1) sur laquelle est formée une couche d'un film mince comme un système d'interconnexion (3) avec des sites de contact (2, 7) entre le système d'interconnexion (3) et des sites de liaison de dé (2) de la tranche (1) pour former une tranche monolithique. Le système d'interconnexion (3) possède des sites de liaison sur la surface de la tranche (1) sur lesquels des puces sont liées pour former un système de tranche monolithique hybride.
Également publié en tant que
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