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Paramétrages

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1. WO1985001152 - PROCEDE DE REPARATION DE CONTACTS NOYES DANS DES DISPOSITIFS MOSFET

Numéro de publication WO/1985/001152
Date de publication 14.03.1985
N° de la demande internationale PCT/US1984/001310
Date du dépôt international 15.08.1984
CIB
H01L 21/74 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
74Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/743
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
74Making of ; localized; buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections ; substrate contacts
743Making of internal connections, substrate contacts
H01L 21/76888
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76886Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
76888By rendering at least a portion of the conductor non conductive, e.g. oxidation
Déposants
  • HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard El Segundo, CA 90245, US
Inventeurs
  • SHIELDS, Steven, E.; US
  • ROBINSON, David, A.; US
Mandataires
  • SZABO, Joseph, E. @; Hughes Aircraft Company Post Office Box 1042, Bldg. C2, M.S. A126 El Segundo, CA 90245, US
Données relatives à la priorité
528,49501.09.1983US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR REPAIR OF BURIED CONTACTS IN MOSFET DEVICES
(FR) PROCEDE DE REPARATION DE CONTACTS NOYES DANS DES DISPOSITIFS MOSFET
Abrégé
(EN)
Contacts between polysilicon conductors (21) on the surface of a silicon wafer (11) and doped regions (13) underlying them in the wafer, rendered defective by the growth of a thin intervening oxide layer (23) between conductors (21) and diffusions (13), are repaired by depositing dots of aluminum (25) on the conductors (21) in the contact areas and annealing the wafer (11) so as to drive traces of the aluminum through the conductors (21) and the intervening oxide (23) into the underlying doped regions (13) in the wafer (11).
(FR)
On répare des contacts entre conducteurs au polysilicium (21) sur la surface d'une plaquette de silicium (11) et les régions dopées (13) situées sous ces derniers dans la plaquette, rendus défectueux par la croissance d'une fine couche d'oxyde (23) s'intercalant entre les conducteurs (21) et les diffusions (13) en déposant des points d'aluminium (25) sur les conducteurs (21) dans les zones de contact et en recuisant la plaquette (11) de manière à entraîner les traces d'aluminium à travers les conducteurs (21) et l'oxyde (23) dans les régions dopées sous-jacentes (13) de la plaquette (11).
Également publié en tant que
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