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1. (WO1985000696) PROCEDE DE COMPTAGE AUTOMATIQUE DE TROUS GRAVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/000696    N° de la demande internationale :    PCT/JP1984/000376
Date de publication : 14.02.1985 Date de dépôt international : 25.07.1984
CIB :
G01N 15/14 (2006.01), G06M 11/02 (2006.01), G06T 7/60 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 15, Kitahama 5-chome, Higashi-ku, Osaka-shi, Osaka 541 (JP) (Tous Sauf US).
TAGUCHI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Akihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAGUCHI, Tetsuya; (JP).
KAWASAKI, Akihisa; (JP)
Mandataire : YUASA, Kyozo; Yuasa and Hara, Room 206 Shin Ohtemachi Bldg., 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100 (JP)
Données relatives à la priorité :
58/135308 25.07.1983 JP
Titre (EN) METHOD FOR AUTOMATICALLY COUNTING ETCHED PITS
(FR) PROCEDE DE COMPTAGE AUTOMATIQUE DE TROUS GRAVES
Abrégé : front page image
(EN)An automatic etched-pit counting method employs a computerized image-processing technique for measuring the density of etched pits on the surface of a semiconductor crystal substrate (wafer) W. The method includes the steps of: calculating an average unit area Ap of an isolated etched pit on the surface of the semiconductor crystal substrate W for each wafer or for each measuring point; dividing the area Sk of superposed collective etched pits k by the average unit area Ap; converting the obtained quotient into an integer, thereby obtaining the number nk of the etched pits within the area Sk; adding together the number (u) of the isolated etched pits and the number nk of the collective etched pits; and taking the obtained sum total as the number N of all the etched pits on the substrate surface.
(FR)Un procédé automatique de comptage de trous gravés utilise une technique informatisée de traitement d'image pour la mesure de la densité des trous gravés sur la surface d'un substrat cristallin semi-conducteur (wafer) W. Le procédé consiste à calculer une surface unitaire moyenne Ap d'un trou gravé isolé sur la surface du substrat cristallin semi-conducteur W pour chaque wafer ou pour chaque point de mesure; à diviser la surface Sk de trous gravés superposés collectifs k par la surface unitaire moyenne Ap; à convertir le quotient en un nombre entier, obtenant ainsi le nombre nk de trous gravés dans la surface Sk; à additionner le nombre (u) de trous gravés isolés au nombre nk des trous gravés collectifs et à prendre le total de la somme obtenue comme nombre N de tous les trous gravés sur la surface du substrat.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)