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1. (WO1985000695) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/1985/000695 N° de la demande internationale : PCT/JP1984/000367
Date de publication : 14.02.1985 Date de dépôt international : 19.07.1984
CIB :
H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/3215 (2006.01) ,H01L 29/72 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283
Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285
à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3215
Dopage des couches
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70
Dispositifs bipolaires
72
Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
Déposants :
SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 141, JP (AllExceptUS)
KAYANUMA, Akio [JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKAMURA, Minoru [JP/JP]; JP (UsOnly)
ASANO, Katsuaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
KAYANUMA, Akio; JP
NAKAMURA, Minoru; JP
ASANO, Katsuaki; JP
Mandataire :
ITO, Tei; Shinjuku Bldg. 8-1, Nishishinjuku 1-chome Shinjuku-ku Tokyo 160, JP
Données relatives à la priorité :
58/13234919.07.1983JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing a semiconductor devices makes use of the fact that the isotropic etching rate of a semiconductor layer, e.g., a polycrystalline or amorphous silicon layer, depends upon the doping amount of an impurity in the semiconductor layer. A semiconductor layer (26) formed on a substrate (4) is doped with an impurity such that the impurity concentration distribution is formed in the direction of depth of the semiconductor layer (26). In a region of the semiconductor layer (26) to be selectively removed, anisotropic etching is carried out such that a high-impurity concentration portion is removed and a portion is left in direction of depth of the semiconductor layer (26). Thereafter, the remaining portion is removed by isotropic etching, thereby suppressing side etching.
(FR) Un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs exploite le fait que la vitesse de gravure isotropique d'une couche semi-conductrice, par exemple d'une couche de silicium polycristallin ou amorphe, dépend de la quantité de dopage d'une impureté dans la couche semi-conductrice. Une couche semi-conductrice (26) formée sur un substrat (4) est dopée avec une impureté telle que la distribution de concentration d'impuretés est formée en direction de la profondeur de la couche semi-conductrice (26). Dans une région de la couche semi-conductrice (26) destinée à être enlevée de manière sélective, la gravure anisotropique est exécutée de sorte qu'une partie à concentration élevée en impuretés est éliminée et une partie est laissée dans le sens de la profondeur de la couche semi-conductrice (26). La partie restante est ensuite éliminée par gravure isotropique, supprimant ainsi la gravure latérale.
États désignés : US
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP0149683US4584055