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1. (WO1985000363) PROCEDE DE PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM FRITTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/000363    N° de la demande internationale :    PCT/JP1984/000342
Date de publication : 31.01.1985 Date de dépôt international : 02.07.1984
CIB :
C04B 35/571 (2006.01), C04B 35/575 (2006.01)
Déposants : KUROSAKI REFRACTORIES CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Higashihama-machi, Yahatanishi-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 806 (JP) (Tous Sauf US).
ONDA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATTA, Tokuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ONDA, Hiroshi; (JP).
HATTA, Tokuaki; (JP)
Mandataire : KOHORI, Susumu @; Room 401 Hakata-Shin-Mitsui Bldg., 1-1, Hakataekimae 1-chome, Hakata-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 812 (JP)
Données relatives à la priorité :
58/120767 02.07.1983 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINTERED SILICON CARBIDE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE CARBURE DE SILICIUM FRITTE
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a sintered silicon carbide having a high strength at elevated temperatures and a uniform fine structure, which comprises allowing an organosilicon polymer to be present on the surface of starting SiC particles of 1 $g(m) or less in size to thereby precipitate super-fine SiC particles produced from the organosilicon polymer onto the starting SiC particles in a heating step prior to a sintering step. The super-fine SiC particles are extremely active in comparison with the starting SiC particles and are effectively precipitated between the starting SiC particles, and hence part of them serves to bond the starting SiC particles to each other. Thus, the substantial sinterability of a molding is enhanced, and sintering can be conducted in a nitrogen-containing atmosphere without causing reduction in density and deterioration of bonding properties.
(FR)Procédé de production d'un carbure de silicium fritté possédant une résistance élevée à des températures élevées et une structure fine uniforme, consistant à permettre à un polymère d'organo-silicium d'être présent à la surface de particules de SiC de départ ayant une taille inférieure ou égale à 1 $g(m), pour précipiter des particules SiC superfines produites à partir du polymère d'organo-silicium sur les particules de SiC de départ dans une étape de chauffage avant l'étape de frittage. Les particules de SiC superfines sont extrêmement actives en comparaison avec les particules SiC de départ et sont précipitées efficacement entre les particules SiC de départ, une partie de ces particules servant ainsi à lier entre elles les particules SiC de départ. Il est ainsi possible d'améliorer sensiblement l'aptitude au frittage d'un moulage, et le frittage peut être exécuté dans une atmosphère contenant de l'azote sans provoquer de réduction de densité ou une détérioration des propriétés liantes.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)