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1. (WO1985000077) DISPOSITIF MESFET A PORTE AUTO-ALIGNEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1985/000077    N° de la demande internationale :    PCT/US1984/000759
Date de publication : 03.01.1985 Date de dépôt international : 18.05.1984
CIB :
H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 200 North Sepulveda Boulevard, El Segundo, CA 90245 (US)
Inventeurs : LEE, Robert, E.; (US).
LEVY, Harold, M.; (US)
Mandataire : MILLER, Russell, Ben @; Hughes Aircraft Company, Post Office Box 1042, Bldg. C2, M.S. A-126, El Segundo, CA 90245 (US)
Données relatives à la priorité :
505,148 17.06.1983 US
Titre (EN) SELF-ALIGNED GATE MESFET AND THE METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIF MESFET A PORTE AUTO-ALIGNEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)An improved performance MESFET device incorporating a structure fabricated utilizing self-aligned gate process technology. The edges of the gate electrode (28) formed are separated from the edges (23, 25) of the dopant regions (26, 27) implanted in the device substrate (23) by a distance which optimizes device performance. In order to increase process yield, a layer of dielectric material (29) is deposited on the substrate surface and then annealed to protect the gate electrode and both stabilize and planarize the substrate surface.
(FR)Un dispositif MESFET ayant des performances améliorées comprend une structure fabriquée par la technologie appliquant le procédé à porte auto-alignée. Les bords de l'électrode de porte (28) formée sont séparés des bords (23, 25) des régions de dopage (26, 27) implantées dans le substrat (23) du dispositif par une distance qui rend optimales les performances du dispositif. De manière à augmenter le rendement du procédé, une couche de matériau diélectrique (29) est déposée sur la surface du substrat puis elle subit un recuit pour protéger l'électrode de porte et stabiliser et rendre plane la surface du substrat.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)