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1. (WO1984002035) PROCEDE DE FORMATION D"UNE PELLICULE DE SILICIUM AMORPHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1984/002035    N° de la demande internationale :    PCT/JP1983/000411
Date de publication : 24.05.1984 Date de dépôt international : 15.11.1983
CIB :
C23C 16/24 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
  30.12.1899 null
Titre (EN) METHOD OF FORMING AMORPHOUS SILICON FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D"UNE PELLICULE DE SILICIUM AMORPHE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an amorphous silicon film photo-decomposes a higher-order silane which contains two or more Si atoms, by irradiation with light of a wavelength not exceeding 300 nm, to deposit the amorphous silicon onto a substrate.
(FR)Un procédé de formation d"une pellicule de silicium amorphe provoque la photodécomposition d"un silane d"ordre élevé contenant deux ou plusieurs atomes de Si, par irradiation avec de la lumière d"une longueur d"onde ne dépassant pas 300 nm, pour déposer le silicium amorphe sur un substrat.
États désignés :
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)