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1. (WO1983004147) AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) A GAMME DYNAMIQUE ETENDUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1983/004147    N° de la demande internationale :    PCT/US1983/000620
Date de publication : 24.11.1983 Date de dépôt international : 28.04.1983
CIB :
H03F 3/08 (2006.01), H03F 3/16 (2006.01), H03K 5/02 (2006.01), H03K 5/08 (2006.01), H04B 10/158 (2006.01)
Déposants : WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. [US/US]; 222 Broadway, New York, NY 10038 (US)
Inventeurs : OWEN, Brian; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E. Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
378,739 17.05.1982 US
Titre (EN) FET AMPLIFIER WITH WIDE DYNAMIC RANGE
(FR) AMPLIFICATEUR A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (FET) A GAMME DYNAMIQUE ETENDUE
Abrégé : front page image
(EN)A simple method for increasing the dynamic range of a GaAs FET amplifier. The drain resistance (RD) of the FET is adjusted to induce leakage current across the gate-source junction when excessive power levels are imposed on the gate. This current shunt (IS) is provided without added circuit components and therefore does not affect the sensitivity or bandwith performance of the amplifier.
(FR)Procédé simple permettant d'accroître la gamme dynamique d'un amplificateur à transistor à effet de champ (FET) à GaAs. La résistance de drain (RD) du FET est réglée de manière à induire un courant de fuite aux bornes de la jonction porte-source lorsque des niveaux excessifs de puissance sont appliqués à la porte. Cette dérivation de courant (IS) est rélalisée sans ajouter de composant au circuit et n'affecte donc pas les caractéristiques de sensibilité ou de bande passante de l'amplificateur.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (BE, DE, FR, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)