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1. (WO1983003923) STRUCTURES DE CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS POSSEDANT DES CONDUCTEURS ISOLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1983/003923    N° de la demande internationale :    PCT/US1983/000493
Date de publication : 10.11.1983 Date de dépôt international : 07.04.1983
CIB :
H01L 21/316 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Déposants : WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. [US/US]; 222 Broadway, New York, NY 10038 (US)
Inventeurs : LEVINSTEIN, Hyman, Joseph; (US).
POWELL, William, David, Jr.; (US).
SINHA, Ashok, Kumar; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
371,055 23.04.1982 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES HAVING INSULATED CONDUCTORS
(FR) STRUCTURES DE CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS POSSEDANT DES CONDUCTEURS ISOLES
Abrégé : front page image
(EN)Insulation between first and second levels of aluminum metallization in semiconductor integrated circuit structures comprises a phosphorus-rich, plasma planarized, deposited silicon dioxide layer (14) and a phosphorus-poor layer of silicon dioxide (15) deposited upon said phosphorus-rich layer.
(FR)L'isolation entre le premier et le deuxième niveaux d'une couche de métallisation en aluminium dans des structures de circuits intégrés à semiconducteurs comprend une couche déposée de dioxyde de silicium riche en phosphore et aplanie par un plasma (14) et une couche pauvre en phosphore de dioxyde de silicium (15) déposée sur la couche riche en phosphore.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (BE, DE, FR, NL, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)