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1. WO1983003031 - DISPOSITIF DE PRISE DE VUES A SEMICONDUCTEURS

Numéro de publication WO/1983/003031
Date de publication 01.09.1983
N° de la demande internationale PCT/JP1983/000040
Date du dépôt international 10.02.1983
CIB
H01L 27/148 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
148Capteurs d'images à couplage de charge
CPC
H01L 27/14831
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14831Area CCD imagers
H01L 27/14887
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
148Charge coupled imagers
14887Blooming suppression
Déposants
  • SONY CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • TAKESHITA, Kaneyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • TAKESHITA, Kaneyoshi
Mandataires
  • KAMABARA, Sadaaki
Données relatives à la priorité
57/2573119.02.1982JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PRISE DE VUES A SEMICONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
Solid-state image pickup device having an inter-line transfer type of solid-state image pickup element with a photodetecting, vertical transfer unit provided with a photosensor (1), a read-out gate (6) and a vertical transfer unit (2), the photosensor (1) and the transfer unit (2) being formed without being covered with a light shielding unit (11). A shutter mechanism is opened when light is received by the element when the relationship of Pr<=Pt(FR)
Dispositif de prise de vues à semiconducteurs possédant un élément de prise de vues à semiconducteurs du type à transfert interligne muni d'une unité de photodétection à transfert vertical pourvu d'un photodétecteur (1), d'une porte de lecture (6) et d'une unité de transfert vertical (2), le photodétecteur (1) et l'unité de transfert (2) étant formés sans être couverts par une unité (11) de protection contre la lumière. Un mécanisme obturateur est ouvert lorsque la lumière est reçue par l'élément lorsque la relation Pr<=Pt
Également publié en tant que
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