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1. (WO1983002528) CIRCUIT DARLINGTON A TRANSISTORS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1983/002528    N° de la demande internationale :    PCT/DE1982/000234
Date de publication : 21.07.1983 Date de dépôt international : 30.12.1982
CIB :
H01L 27/082 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 50, D-7000 Stuttgart 1 (DE) (Tous Sauf US).
FLOHRS, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FLOHRS, Peter; (DE)
Mandataire : VETTER, Hans; Robert-Bosch-Platz 1, D-7016 Gerlingen-Schillerhöhe (DE)
Données relatives à la priorité :
G 82 01 186.9 U 20.01.1982 DE
P 32 27 536.6 23.07.1982 DE
Titre (EN) DARLINGTON TRANSISTOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DARLINGTON A TRANSISTORS
Abrégé : front page image
(EN)The Darlington circuit comprises a power transistor and a driver transistor. Both transistors are monolithically integrated by means of a planar technique in a common substrate (10) which forms the collector areas of both transistors. On the main upper surface of the substrate (10), there is arranged a passivation layer (13) covering said surface except for contact windows. The base-collector junctions of both transistors are protected by a metal electrode (15) which is located above the passivation layer (13) and extends up to a stop ring (14) arranged in the substrate (10), under the passivation layer (13). The potential accross the cover electrode (15) may be adjusted by means of a voltage divider (16).
(FR)Le circuit Darlington comprend un transistor de puissance et un transistor de pilotage. Les deux transistors sont intégrés monolithiquement, à l'aide de la technique planaire, dans un substrat commun (10) qui constitue les régions de collecteur des deux transistors. Sur la surface supérieure principale du substrat (10) se trouve une couche de passivation (13) recouvrant cette surface à l'exception de fenêtres de contact. Les jonctions base-collecteur des deux transistors sont protégées par une électrode métallique (15) qui se trouve au-dessus de la couche de passivation (13) et s'étend jusqu'à un anneau d'arrêt (14) disposé dans le substrat (10), en-dessous de la couche de passivation (13). Le potentiel sur l'électrode de couverture (15) peut être ajusté à l'aide d'un diviseur de tension (16).
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)