WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1982004498) TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE IMPLANTATION D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1982/004498    N° de la demande internationale :    PCT/US1982/000636
Date de publication : 23.12.1982 Date de dépôt international : 13.05.1982
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC. [US/US]; 222 Broadway, New York, NY 10038 (US)
Inventeurs : FINEGAN, Sean, Ng; (US).
McFEE, James, Hoffman; (US).
SWARTZ, Robert, Gerald; (US).
VOSHCHENKOV, Alexander, Michael; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
275,418 19.06.1981 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PROCESSING INVOLVING ION IMPLANTATION
(FR) TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT UNE IMPLANTATION D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)A molecular beam epitaxial method of fabricating a semiconductor device wherein the dopant is implanted by establishing (130) a plasma containing ions of the dopant and the ions are coupled through a drift chamber (180) to impinge on the growing substrate surface. The plasma formed in the ion gun has ions of boron and arsenic and therefore the dopants selected for implantation can be determined by setting a mass filter (134) present in the ion gun. A change to the dopant of the opposite conductivity type can be accomplished in seconds by simply readjusting the mass filter in the ion gun.
(FR)Procede epitaxial a faisceau moleculaire pour la fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs dans lequel le dopant est implante en etablissant (130) un plasma contenant des ions du dopant et les ions sont couples au travers d'une chambre de mobilite (180) de maniere a provoquer leur collision contre la surface de substrat en croissance. Le plasma forme dans le canon ionique possede des ions de bore et d'arsenic et par consequent les dopants selectionnes pour l'implantation peuvent etre determines en predisposant un filtre de masse (134) present a l'interieur du canon ionique. Un changement vers le dopant du type a conductivite opposee peut etre execute en l'espace de quelques secondes simplement en reajustant le filtre de masse dans le canon ionique.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (BE, DE, FR, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)