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1. (WO1982004349) REGULATEUR ET COMMUTATEUR DE COURANT A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1982/004349    N° de la demande internationale :    PCT/US1982/000591
Date de publication : 09.12.1982 Date de dépôt international : 03.05.1982
CIB :
H02M 3/155 (2006.01), H03K 17/06 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 E. Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : FAY, Gary, V.; (US).
PSHAENICH, Alvin; (US)
Mandataire : GILLMAN, James, W. @; Motorola, Inc., Patent Department - Suite 200F, 4350 E. Camelback Road, Phoenix, AZ 85018 (US)
Données relatives à la priorité :
267,227 26.05.1981 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CURRENT REGULATOR AND SWITCH
(FR) REGULATEUR ET COMMUTATEUR DE COURANT A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor current regulating and switching apparatus wherein an NMOS enhancement mode power transistor is used in the positive lead to regulate the flow of current from a power source to a load. In order to achieve a low resistance on-state for the NMOS power transistor, the control gate must be biased to a voltage which exceeds the positive voltage of the power source. This bias voltage is generated within the apparatus.
(FR)Appareil a commutateur de regulation et de commutation de courant ou un transistor de puissance a mode d'enrichissement de semiconducteur a oxyde metallique a N canaux NMOS est utilise dans le conducteur positif pour reguler le flux de courant s'ecoulant d'une source de puissance a une charge. Afin d'obtenir un etat de commutation 'on' de faible resistance pour le transistor de puissance NMOS, la porte de commande doit etre polarisee sur une tension qui depasse la tension positive de la source de puissance. Cette tension de polarisation est generee dans l'appareil.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)