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1. (WO1982002116) EXTRACTION DE MATERIAUX ORGANIQUES DURCIS PENDANT LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1982/002116    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/001542
Date de publication : 24.06.1982 Date de dépôt international : 20.11.1981
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : WESTERN ELECTRIC COMPANY [US/US]; 222 Broadway, New York, NY 10038 (US)
Inventeurs : KINSBRON, Eliezer; (US).
VRATNY, Frederick; (US)
Mandataire : HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Données relatives à la priorité :
214,171 08.12.1980 US
Titre (EN) REMOVING HARDENED ORGANIC MATERIALS DURING FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS
(FR) EXTRACTION DE MATERIAUX ORGANIQUES DURCIS PENDANT LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES
Abrégé : front page image
(EN)In an integrated circuit fabrication sequence, a hardened mask layer (12) adhered to an underlying substrate (10) is removed from the substrate by a solvent that comprises anhydrous hydrazine and dimethyl sulfoxide. The solvent rapidly penetrates the interface between the pattern and the underlying substrate and quickly breaks the adhesive bonds therebetween. Other materials (e.g., Al, Si, SiO2) in the structure being fabricated are not deleteriously affected by the solvent.
(FR)Dans une sequence de fabrication de circuits integres, une couche de masque durci (12) colle sur un substrat sous-jacent (10) est enlevee du substrat a l'aide d'un solvant qui comprend de l'hydrazine et du sulfoxyde de dimethyle anhydres. Le solvant penetre rapidement dans l'interface entre la configuration et le substrat sous jacent et casse rapidement les liaisons adhesives entre les deux. D'autres materiaux (p.ex. Al, Si, SiO2) se trouvant dans la structure en cours de fabrication ne sont pas affectes par le solvant.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)