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1. (WO1982002065) PROCEDE AMELIORE DE DIFFUSION DU BORE SOUS VIDE PARTIEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1982/002065    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/001444
Date de publication : 24.06.1982 Date de dépôt international : 28.10.1981
CIB :
C30B 31/02 (2006.01)
Déposants : MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonguin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventeurs : FLOWERS, Dervin, L.; (US).
THOMPSON, Sylvia, B.; (US)
Mandataire : GILLMAN, James, William @; Motorola, Inc., Patent Department, 4350 East Camelback Road, Suite 200F, Phoenix, AZ 85018 (US)
Données relatives à la priorité :
216,873 15.12.1980 US
Titre (EN) IMPROVED PARTIAL VACUUM BORON DIFFUSION PROCESS
(FR) PROCEDE AMELIORE DE DIFFUSION DU BORE SOUS VIDE PARTIEL
Abrégé : front page image
(EN)A method for uniformly and reproducibly boron doping closely spaced silicon wafers (10-12) in a chamber (14) in a single batch by: first, forming a protective layer of silicon dioxide on the wafers by reaction with an oxidant gas; second, depositing boron on the wafers by introducing gaseous BCl3 and H2O at a low flow rate and pressure (less than 10 torr for superior results which forms B2O3; and thirdly, heating the wafers in a non-oxidizing atmosphere to achieve redistribution of the boron in the wafers.
(FR)Procede de dopage au bore uniforme et reproductible de tranches de silicium espacees de maniere serree (10-12) dans une chambre (14) en une seule etape en formant d'abord une couche de protection de bioxyde de silicium sur les tranches par reaction avec un gaz d'oxydation, en second lieu en deposant du bore sur les tranches par introduction de BCl3 et H2O gazeux a un faible debit et a une faible pression (inferieure a 10 torr pour obtenir de meilleurs resultats) qui forment B2O3, et troisiemement en chauffant les tranches dans une atmosphere non oxydante pour effectuer la redistribution du bore dans les tranches.
États désignés : JP.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)