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1. (WO1982000510) COLLECTEUR D'ENERGIE SOLAIRE AYANT UN REVETEMENT SEMI-CONDUCTEUR FORME A PARTIR D'UN METAL ET D'UN DIELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1982/000510    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000987
Date de publication : 18.02.1982 Date de dépôt international : 28.07.1980
CIB :
C23C 14/02 (2006.01), F24J 2/05 (2006.01), F24J 2/46 (2006.01), F24J 2/48 (2006.01)
Déposants : OWENS-ILLINOIS, INC..
SPANOUDIS, Louis; .
EMCH, Brooke, R.;
Inventeurs : SPANOUDIS, Louis; .
EMCH, Brooke, R.;
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SOLAR ENERGY COLLECTOR HAVING SEMICONDUCTIVE COATING FORMED FROM METAL AND DIELECTRIC
(FR) COLLECTEUR D'ENERGIE SOLAIRE AYANT UN REVETEMENT SEMI-CONDUCTEUR FORME A PARTIR D'UN METAL ET D'UN DIELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A solar energy collector and process for preparing it, in which the collector is characterized by a semiconductive coating (12) formed by the co-deposition of a metal (13) and a dielectric material (14) and having a relatively high solar absorptivity and low infrared emissivity. The simultaneous deposition of the metal (13) and dielectric material (14) may be carried out by vapor-vacuum deposition techniques onto a substrate (10) and results in a semiconductive coating (12) of a solid solution of atoms of the metal dispersed in a matrix of the dielectric material. In the preferred practice, the amounts of metal (13) and dielectric material (14) deposited are varied during the co-deposition and desirably in reverse order, so that there are reverse concentration gradients of each component within the coating (12) in which the concentration of metal is the greatest adjacent the substrate.
(FR)Collecteur d'energie solaire et son procede de preparation; le collecteur se caracterise par un revetement semi-conducteur (12) forme par le depot associe d'un metal (13) et d'un materiau dielectrique (14), et par une capacite d'absorption solaire relativement elevee et une emissivite faible dans l'infrarouge. Le depot simultane du metal (13) et du materiau dielectrique (14) peut s'effectuer a l'aide de technique de depot par vapeur-vide sur un substrat (10) et donne comme resultat un revetement semi-conducteur (12) d'une solution solide d'atomes du metal disperse dans une matrice de materiau dielectrique. Dans le mode preferentiel de realisation, les quantites de metal (13) et de materiau dielectrique (14) deposees varient pendant le depot simultane et de preference dans l'ordre inverse, de telle sorte que l'on obtient des degres de concentration inverse de chaque composant dans le revetement (12) dans lequel la concentration de metal adjacent au substrat est la plus grande.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)