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1. (WO1982000233) CIRCUITS A RESISTANCES A FILMS EPAIS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1982/000233    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000787
Date de publication : 21.01.1982 Date de dépôt international : 11.06.1981
CIB :
B22F 3/00 (2006.01), H01C 17/28 (2006.01), H05K 1/09 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01)
Déposants : WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC.
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THICK FILM RESISTOR CIRCUITS
(FR) CIRCUITS A RESISTANCES A FILMS EPAIS
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming thick film resistor circuits whereby non-noble metals (11, 12) requiring a reducing firing atmosphere are included with resistor material (13) requiring an oxidizing atmosphere. The conductor metallization is capable of adhering to the substrate at a low firing temperature in air. The resistors are printed and fired in air after conductor formation. The metal oxide can then be reduced at a sufficiently low temperature so as not to significantly affect the resistor material. In one embodiment, the conductor paste includes copper and glass frits which can adhere to a ceramic substrate by firing at a temperature of less than 1100 degrees C.
(FR)Procede de formation de circuits a resistances a films epais qui consiste a incorporer des metaux non nobles (11, 12) qui necessitent une atmosphere de cuisson de reduction dans un materiau a resistance (13) necessitant une atmosphere d'oxydation. La metalisation du conducteur est capable d'adherer au substrat a une basse temperature de cuisson dans l'air. Les resistances sont imprimees et cuites dans l'air apres formation du conducteur. L'oxyde metallique peut alors etre reduit a une temperature suffisamment basse de maniere a ne pas trop affecter le materiau a resistance. Dans un mode de realisation, la pate du conducteur comprend des frittes de cuivre et de verre qui peuvent adherer au substrat de ceramique par cuisson a une temperature inferieure a 1100 C.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)