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1. (WO1981003571) RESEAU DE MEMOIRE AYANT UNE ISOLATION AMELIOREE ENTRE LES LIGNES DE LECTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003571    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000607
Date de publication : 10.12.1981 Date de dépôt international : 04.05.1981
CIB :
G11C 17/12 (2006.01), G11C 7/18 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
154353 29.05.1980 US
Titre (EN) MEMORY ARRAY HAVING IMPROVED ISOLATION BETWEEN SENSE LINES
(FR) RESEAU DE MEMOIRE AYANT UNE ISOLATION AMELIOREE ENTRE LES LIGNES DE LECTURE
Abrégé : front page image
(EN)A memory array having improved isolation between the bit sense common lines (22, 23, 26, 27) is provided by using diode connected transistors (40-43). The diode connected transistors (40-43) substantially eliminate any current flow between bit sense common lines (22, 23, 26, 27) when a certain portion of the column select circuitry has not been selected. Since the blocking transistors (40-43) prevent current flow there is no noise generated to be coupled to one of the control lines (28). This results in a memory array which can operate at higher speeds since better differential signals are established to be sensed by the sense amplifier.
(FR)Un reseau de memoire ayant une isolation amelioree entre les lignes communes de lecture de bits (22, 23, 26, 27) utilise des transistors connectes par des diodes (40-43). Les transistors a diodes de connexion (40-43) eliminent sensiblement tout courant passant entre les lignes communes de detection de bits (22, 23, 26, 27) lorsqu'une certaine partie du reseau de circuit d'une colonne n'a pas ete selectionnee. Etant donne que les transistors de blocage (40-43) empechent le courant de passer, cela elimine les bruits d'accouplement sur l'une des lignes de commande (28). Ceci permet d'obtenir un reseau de memoire qui peut fonctionner a des vitesses superieures etant donne que de meilleurs signaux differentiels peuvent etre etablis, lesquels sont detectes par l'amplificateur de detection.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)