WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1981003569) DECODEUR DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR AVEC MAINTIEN A LA TERRE D"UNE LIGNE DE RANGEE NON SELECTIONNEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003569    N° de la demande internationale :    PCT/US1980/000674
Date de publication : 10.12.1981 Date de dépôt international : 02.06.1980
CIB :
G11C 11/418 (2006.01), G11C 8/08 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
US80/00674 02.06.1980 WO
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DECODER WITH NONSELECTED ROW LINE HOLD DOWN
(FR) DECODEUR DE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR AVEC MAINTIEN A LA TERRE D"UNE LIGNE DE RANGEE NON SELECTIONNEE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor memory decoder (10) includes an OR gate (12) which receives a multi-bit memory address. A node (26) is precharged to a low state and driven to a high state when the OR gate (12) is not selected by the address. A node (34) is precharged to a high state and pulled to ground when the node (26) is driven to a high state. The high state precharged on the node (34) is conveyed to anode (40) which is connected to the gate terminal of a row driver transistor (54) and to a node (46) which is connected to the gate terminal of a row driver transistor (64). The one of the nodes (40, 46) not connected to a selected row line is isolated from the node (34) to render conductive the corresponding nonselected row driver transistor (54, 64). A high voltage state row driver signal (RD0, RD1) is transmitted through the selected row driver transistor (54, 64) to charge the selected row line (56, 66). A low voltage state row driver signal is transmitted through the nonselected row driver transistor (54, 64) to hold the nonselected row line at ground.
(FR)Un decodeur de memoire a semi-conducteur (10) comprend une porte OU (12) qui recoit une adresse de memoire multibits. Un noeud (26) est precharge a un faible etat et amene a un etat eleve lorsque la porte OU (12) n"est pas selectionnee par l"adresse. Un noeud (34) est precharge a un etat eleve et ramene a la terre lorsque le noeud (26) est entraine vers un etat eleve. L"etat eleve precharge sur le noeud (34) est amene sur un noeud (40) qui est connecte a la borne d"une porte d"un transistor de commande de rangee (54) et a un noeud (46) qui est connecte a la borne de porte du transistor de commande d"une rangee (64). L"un des noeuds (40, 46) qui n"est pas connecte a une ligne de rangee selectionnee est isole du noeud (34) pour rendre conducteur le transistor de commande de rangee correspondant non selectionne (54, 64). Un signal de commande rangee avec etat de haute tension (RD0, RD1) est transmis par l"intermediaire du transistor de commande de rangee selectionnee (54, 64) pour charger la ligne de rangee selectionnee (56, 66). Un signal de commande de rangee avec faible etat de tension est transmis par l"intermediaire du transistor de commande de rangee non selectionnee (54, 64) pour maintenir la ligne de rangee non selectionnee a la terre.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)