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1. (WO1981003399) FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LES RAYONS LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003399    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000624
Date de publication : 26.11.1981 Date de dépôt international : 11.05.1981
CIB :
H01L 21/22 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 29/205 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
150460 16.05.1980 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR FABRICATION UTILIZING LASER RADIATION
(FR) FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LES RAYONS LASER
Abrégé : front page image
(EN)Process for greatly simplifying the production of certain types of semiconductor devices, e.g., lasers. In one embodiment of the invention, a stripe geometry is fabricated in a laser-diode structure having a plurality of epitaxial layers, including in tandem a p-doped semiconductor layer (4), a moderately n-doped semiconductor layer (5) and a heavily p+-doped layer (6), by focusing laser radiation on the n-doped semiconductor layer (5). The laser radiation is chosen to have a wavelength which passes through the p+-doped layer (6) without absorption. When the laser radiation is absorbed in the n-doped layer, heat is generated which causes diffusion of p-dopant from the two adjacent layers to convert the exposed region to p-type. As the laser beam is scanned, a stripe having a forward pn-junction for laser action is formed.
(FR)Procede simplifiant considerablement la production de certains types de dispositifs a semi-conducteurs, p.ex. des lasers. Dans un mode de realisation, une geometrie en bande est fabriquee dans une structure laser-diode ayant une pluralite de couches epitaxiales, comprenant en tandem une couche de semi-conducteur a dopage p (4), une couche de semi-conducteur a dopage modere n (5) et une couche fortement dopee p+ (6), en focalisant la radiation laser sur la couche a semi-conducteur de dopage n (5). La radiation laser est choisie avec une longueur d'onde passant au travers de la couche a dopage p + (6) sans absorption. Lorsque la radiation laser est absorbee dans la couche a dopage n, la chaleur produite diffuse le dopant p depuis les deux couches adjacentes pour convertir la region exposee en type p. Au fur et a mesure que s'effectue le balayage du rayon laser, il se forme une bande ayant une jonction avant pn pour une action laser.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)