WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1981003393) SYSTEME ET CELLULE RAM DYNAMIQUE REMANENTE/NON REMANENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003393    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000647
Date de publication : 26.11.1981 Date de dépôt international : 14.05.1981
CIB :
G11C 11/403 (2006.01), G11C 14/00 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
150275 15.05.1980 US
Titre (EN) VOLATILE/NON-VOLATILE DYNAMIC RAM CELL AND SYSTEM
(FR) SYSTEME ET CELLULE RAM DYNAMIQUE REMANENTE/NON REMANENTE
Abrégé : front page image
(EN)The invention is concerned with the problem of reducing the chip area occupied by volatile/nonvolatile dynamic RAM (random access memory) cells. A volatile/non-volatile dynamic RAM cell (30, 80) includes a storage capacitor (32) for volatilely storing binary information during normal RAM operation; an alterable-threshold storage capacitor (33A or 83) for non-volatilely storing the information in non-volatile fashion during poweroff conditions; and an energy barrier (33F or 45) between the two capacitors. Information can be restored to the volatile capacitor either by CCD charge transfer or by charge-pumped operation. The energy barrier facilitates efficient charge pumped restore of information. In one embodiment, the energy barrier is a high concentration substrate surface region (45) having the same conductivity type as the substrate. Alternatively, the alterable-threshold non-volatile capacitor and the energy barrier are provided by a split-gate capacitor (33) which has an alterable threshold non-volatile section (33A) (the non-volatile capacitor) and a non-alterable threshold section (33F) (the energy barrier). The cells may be arranged in an array.
(FR)L'invention concerne le probleme de la reduction de la surface de chips occupee par des cellules RAM (memoire a acces selectif) dynamiques remanentes/non remanentes. Une cellule RAM dynamique remanente/non remanente (30, 80) comprend un condensateur de stockage (32) pour stocker de maniere non remanente des informations binaires pendant le fonctionnement RAM normal. Un condensateur de stockage a seuil alterable (33A ou 83) pour stocker des informations de maniere remanente pendant des conditions de coupure d'alimentation; et une barriere d'energie (33F ou 45) entre les deux condensateurs. Les informations peuvent etre retablies sur le condensateur non remanent soit par le transfert de charge CCB ou par fonctionnement a pompage de charge. La barriere d'energie facilite le retablissement d'informations efficaces par pompage de charge. Dans un mode de realisation, la barriere d'energie est une region en surface d'un substrat de concentration elevee (45) ayant le meme titre de conductivite que le substrat. En variant, le condensateur remanent a seuil alterable et la barriere d'energie sont formes par un condensateur a porte fractionnee (33) qui possede une section remanente a seuil alterable (33A) (le condensateur remanent) et une section a seuil non alterable (33F) (la barriere d'energie). Les cellules peuvent etre disposees dans une rangee.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)