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1. (WO1981003241) CIRCUITS INTEGRES DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003241    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000495
Date de publication : 12.11.1981 Date de dépôt international : 16.04.1981
CIB :
H01L 21/763 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
147466 07.05.1980 US
Titre (EN) SILICON INTEGRATED CIRCUITS
(FR) CIRCUITS INTEGRES DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor integrated circuit such as a dynamic RAM is formed in mesas (11) formed by grooves (13) in the surface of a semiconductor body. Capacitors are formed between conductive layers (19) on the mesa sidewalls and a conductive filling (14) in the grooves. The filling may be of polycrystalline semiconductor and is separated from the semiconductor body by a layer of dielectric material (20). Since the capacitors extend into the semiconductor body their lateral extent for a given effective plate area is reduced. In the RAM example each mesa constitutes a cell and each access transistor (15, 16, 17, 18) is formed in the top surface of the respective mesa. A similar arrangement, with the grooves filled with polycrystalline semiconductor preferably of high resistivity, can be used to obtain lateral isolation between mesas avoiding the thermal mismatch problems associated with dielectric-filled grooves.
(FR)Un circuit integre a semi-conducteur tel qu'une RAM dynamique est forme en mesas (11) formees par des rainures (13) a la surface d'un corps de semi-conducteur. Des condensateurs sont formes entre les couches conductrices (19) des parois laterales de la mesa et un remplissage (14) conducteur dans les rainures. Le remplissage peut etre un semi-conducteur polycristallin et est separe du corps de semi-conducteur par une couche de materiau dielectrique (20). Etant donne que les condensateurs s'etendent dans le corps de semi-conducteur leur extension laterale pour une zone de plaque effective donnee est reduite. Dans l'exemple de la RAM chaque mesa constitue une cellule et chaque transistor d'acces (15, 16, 17, 18), est forme a la surface superieure de la mesa respective. Une disposition analogue avec les rainures remplies d'un semi-conducteur polycristallin de preference de haute resistivite, peut etre utilisee pour obtenir une isolation laterale entre les mesa permettant d'eviter les problemes thermiques de non assortiment associes a des rainures remplies de dieletrique.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)