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1. (WO1981003133) DEPOT DE SILICIUM SOUS PLASMA A HAUTE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003133    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000449
Date de publication : 12.11.1981 Date de dépôt international : 06.04.1981
CIB :
C23C 16/01 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
148095 09.05.1980 US
Titre (EN) HIGH PRESSURE PLASMA DEPOSITION OF SILICON
(FR) DEPOT DE SILICIUM SOUS PLASMA A HAUTE PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)Polycrystalline silicon (84) is deposited on the interior surface of a shaped container (40). The silicon is deposited by reacting hydrogen (31) and a silicon bearing gas (30) in the presence of a high pressure plasma (22). The silicon body is separated from the shaped container by utilizing thermal expansion shear stress.
(FR)Du silicium polycristallin (84) est depose sur la surface interieure d'un conteneur de forme (40). Le silicium est depose en faisant reagir de l'hydrogene (31) et un gaz porteur de silicium (30) en presence de plasma a haute pression (22). Le corps de silicium est separe du conteneur a forme par un travail de cisaillement a expansion thermique.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)