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1. (WO1981003086) DETECTEUR DE PRESSION AU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1981/003086    N° de la demande internationale :    PCT/US1981/000376
Date de publication : 29.10.1981 Date de dépôt international : 16.03.1981
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants :
Inventeurs :
Données relatives à la priorité :
140289 14.04.1980 US
Titre (EN) SILICON PRESSURE SENSOR
(FR) DETECTEUR DE PRESSION AU SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)A monolithic silicon pressure sensor (10) employing a terminal resistive element (16) is formed in a thin monocrystalline silicon diaphragm (12). The resistive element is a diffused resistor (18) having current contacts (22, 23) at the ends and two voltage contacts (26, 27) located midway between the current contacts and on opposite sides of a current axis defined between the two current contacts. The thin silicon diaphragm (12) has a square shape and is oriented in a (100) silicon surface with its sides parallel to a (110) crystal orientation. The resistor (18) is oriented with its current axis parallel to a (100) crystalline direction and at 45 degrees with respect to the edge of the diaphragm to maximize sensitivity of the resistor to shear stresses generated by flexure of the diaphragm resulting from pressure differentials across the diaphragm. With a current flowing between current contacts (22, 23), a shear stress acting on the resistor (18) generates a voltage which appears at the voltage contacts (26, 27) and which is proportional to the magnitude of the shear stress.
(FR)Un senseur detecteur de pression au silicium monolithique (10) utilisant un element resistant a quatre terminaux (16) est forme dans un diaphragme de silicium monocristallin fin (12). L'element resistant est une resistance diffuse (18) ayant des contacts d'intensite (22, 23) aux extremites et deux contacts de tension (26, 27) situes a mi-chemin entre les contacts d'intensite et sur les cotes opposes d'un axe de courant defini entre les deux contacts d'intensite. Le diaphragme de silicium fin (12) possede une forme carree et est oriente dans une surface de silicium (100) avec ses cotes paralleles a une orientation de cristal (110). La resistance (18) est orientee avec son axe de courant parallele a une direction cristalline (100) et a 45 par rapport au bord du diaphragme pour optimiser la sensibilite de la resistance aux contraintes de cisaillement engendrees par la flexion du diaphragme resultant des pressions differentielles sur le diaphragme. Avec un courant qui circule entre les contacts d'intensite (22, 23), une contrainte de cisaillement agissant sur la resistance (18) produit une tension qui apparait au niveau des contacts de tension (26, 27) et qui est proportionnelle a l'intensite de la contrainte de cisaillement.
États désignés :
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)